Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (ENCENDIDO)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.
• En-resistencia baja
• Capacitancia entrada baja
• Velocidad que cambia rápida
• Salida baja de la entrada-salida
• Velocidad que cambia rápida
• Totalmente sin plomo y completamente RoHS obedientes (notas 1 y 2)
• Halógeno y antimonio libres. Dispositivo “verde” (nota 3)
• Calificado a los estándares AEC-Q101 para la alta confiabilidad
• Control de motor
• Funciones de gestión del poder
• Convertidores de DC-DC
• El hacer excursionismo
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Diodos incorporados |
Categoría de producto | FETs - órdenes |
Fabricante | Diodos incorporados |
Producto-categoría | MOSFET |
RoHS | Detalles |
Montaje-estilo | SMD/SMT |
Paquete-caso | TSOT-23-6 |
Número-de-canales | Canal 2 |
Transistor-polaridad | P-canal del canal N |
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 20 V |
Identificación-Continuo-Dren-actual | 4,5 A |
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 35 mOhms 74 mOhms |
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 12 V |
Qg-Puerta-carga | 5,7 nC 7 nC |
Máximo-Actuar-temperatura | + 150 C |
Tecnología | Si |
Empaquetado | Carrete |
Canal-modo | Aumento |
Marca | Diodos incorporados |
Configuración | 1 P-canal del canal N 1 |
Mínimo-Actuar-temperatura | - 55 C |
Paladio-Poder-disipación | 800 mW |
Serie | DMC2038 |
Transistor-tipo | 1 P-canal del canal N 1 |
Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 25 ns 21 nS |
Típico-Vuelta-En-Retraso-tiempo | 5 ns 11 ns |
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