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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Toshiba |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | DMC2038LVT-7 |
이 MOSFET은 온-상태 저항 (RDS(ON))를 최소화하도록 설계되었습니다 그리고 아직 그것을 고효율 전력 관리 어플리케이션에 이상적이게 하면서, 뛰어난 접속품질을 유지하세요.
오우 낮은 온 저항
오우 저입력 캐패시턴스
오우는 교환 속도를 금식시킵니다
오우 저입력 / 생산량 누출
오우는 교환 속도를 금식시킵니다
오우 완전히 무연 & 완전히 로에스 순응하 (기록 1과 2)
오우 할로겐과 자유로운 안티몬. 녹색 장치 (노트 3)
높은 신뢰도에 대하여 표준인 AEC-Q101에 자격 있는 오우
오우 모터 콘트롤
오우 전력 관리 기능
오우 직류-직류 변환기
오우 배경 조명
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 다이오드는 결합했습니다 |
| 상품 카테고리 | FET - 배열 |
| 제조사 | 다이오드는 결합했습니다 |
| 상품 카테고리 | MOSFET |
| 로에스 | 세부 사항 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | TSOT-23-6 |
| 채널 수 | 2개 채널 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 P-채널 |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 20 Ｖ |
| Id 연속적인 배수 경향 | 4.5 A |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 35 모엠에스 74 모엠에스 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 12 Ｖ |
| 큐그 게이트 요금 | 5.7 nC 7 nC |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 기술 | Si |
| 패키징 | 릴 |
| 채널 모드 | 향상 |
| 브랜드 | 다이오드는 결합했습니다 |
| 구성 | 1 엔-채널 1 P-채널 |
| 최소 동작 온도 | - 55 Ｃ |
| Pd 전원 산재 | 800 mW |
| 시리즈 | DMC2038 |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 1 P-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 25 나노 초 21 nS |
| 전형적 전환 ON 상태 지연 시간 | 5 나노 초 11 나노 초 |
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