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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Toshiba |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | DMC2038LVT-7 |
このMOSFETはオン州の抵抗（RDS設計されていた（）最小にするように）を今までのところではそれを高性能力管理適用にとって理想的にさせる優秀な転換の性能を維持するため。
•低いオン抵抗
•低い入れられたキャパシタンス
•速い切り替え速度
•低い入出力漏出
•速い切り替え速度
•迎合的な全く無鉛及び十分にRoHS （ノート1及び2）
•自由なハロゲンおよびアンチモン。「緑の」装置（ノート3）
•高い信頼性のためにAEC-Q101標準に修飾される
•運動制御
•力の管理機能
•DC-DCのコンバーター
•逆光照明
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | 組み込まれるダイオード |
| 製品カテゴリ | FETs -配列 |
| 製造業者 | 組み込まれるダイオード |
| プロダクト部門 | MOSFET |
| RoHS | 細部 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | TSOT-23-6 |
| 数のチャネル | 2チャネル |
| トランジスター極性 | N-ChannelのP-Channel |
| Vds下水管源故障電圧 | 20ボルト |
| ID連続的下水管現在 | 4.5 A |
| Rds下水管源抵抗 | 35のmOhms 74のmOhms |
| Vgsゲート源電圧 | 12ボルト |
| Qgゲート充満 | 5.7 NC 7 NC |
| 最高作動温度 | + 150 C |
| 技術 | Si |
| 包装 | 巻き枠 |
| チャネル モード | 強化 |
| ブランド | 組み込まれるダイオード |
| 構成 | 1つのN-Channel 1のP-Channel |
| 最低作動温度 | - 55 C |
| Pd力消滅 | 800 MW |
| シリーズ | DMC2038 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel 1のP-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 25 ns 21 nS |
| 典型的回転遅れ時間 | 5 ns 11 ns |
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