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Transistor MOSFET FET-simple N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg de transistors d'IRLML0030TRPBF
  • Transistor MOSFET FET-simple N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg de transistors d'IRLML0030TRPBF

Transistor MOSFET FET-simple N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg de transistors d'IRLML0030TRPBF

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Infineon
Certification ROHS
Numéro de modèle BSZ065N03LS
Détails du produit
Nom de produit:
BSZ065N03LS
Condition:
Original 100%
Montage du type:
TRANSISTOR MOSFET N-CH
Tension - approvisionnement:
Norme
Max. Reverse Current:
Norme
Application:
Transistors FET-simples
Description de produit

                                                                                 Transistor MOSFET FET-simple N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg de transistors d'IRLML0030TRPBF 0Fiche technique d'IRLML0030TRPBF

Caractéristiques et avantages

Caractéristiques
Le bas RDS (dessus) (≤ 27mΩ)
Pinout industriellement compatible
Compatible avec des techniques extérieures existantes de bâti
RoHS conforme ne contenant aucun plomb, aucun bromure et aucun halogène
MSL1, qualification industrielle

 

 

Avantages

Pertes de changement inférieures
Compatibilité à plusieurs fournisseurs
Une fabrication plus facile
Favorable à l'environnement
Fiabilité accrue

 

 

Applications

• Commutateur de système de charge

 

                                 
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant IR
Catégorie de produit FETs - simples
Série HEXFET®
EmballageEmballage alternatif
Unité-poids0,050717 onces
De style du support SMD/SMT
Paquet-cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TechnologieSI
L'Actionner-température-55°C | 150°C (TJ)
De type support Bâti extérieur
Fournisseur-Dispositif-paquet Micro3 ? /SOT-23
De type FETN-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal
Puissance-maximum1.3W
VDSS – tension de Drain-source30V
Capacité d'entrée382pF @ 15V
FET-caractéristiqueNorme
Current-Continuous-Drain-Id-25°C5.3A (ventres)
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs 27 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs-Th-Maximum-identification2.3V @ 25μA
Porte-charge-Qg-Vgs 2.6nC @ 4.5V
Palladium-Puissance-dissipation1,3 W
Vgs-Porte-Source-tension20 V
Identification (courant de drain)5,3 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension30 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance40 mOhms
Transistor-polarité N-canal
Qg-Porte-charge2,6 OR

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
 
 
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original de puce de circuit intégré. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

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