특징
( ≤ 27mΩ) (의) 낮은 RDS
산업표준 핀 배치
현존하는 표면 장착 기술로 적합합니다
순응한 로에스가 어떤 납, 어떤 진정제와 어떤 할로겐도 함유하지 않습니다
MSL1, 산업적 자격
더 낮은 스위칭 로스
다중 공급자 호환성
더 쉬운 제작
환경적으로 우호적입니다
증가된 신뢰도
오우 Load/ 시스템 스위치
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | IR |
상품 카테고리 | FET - 단일 |
시리즈 | HEXFET® |
패키징 | 교대 패키징 |
단일 가중치 | 0.050717 온스 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
기술 | Si |
작동 온도 | -55' C ~ 150' C (TJ) |
설치형 | 표면 부착 |
공급 툴 장치 패키지 | Micro3?/SOT-23 |
전계 효과 트랜지스터형 | MOSFET 엔-채널, 금속 산화물 |
전원 최대 | 1.3W |
VDSS - 드레인-소스 전압 | 30V |
입력 커패시턴스 | 15V에 있는 382pF |
FET 특징 | 표준 |
Current-Continuous-Drain-Id-25' C | 5.3A (Ta) |
Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 5.2A, 10V에 있는 27 모흠 |
브그스 -스 최대 ID | 25μA에 있는 2.3V |
게이트전하 -큐그 -브그스 | 4.5V에 있는 2.6nC |
Pd 전원 산재 | 1.3 W |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 5.3 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 30 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 40 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
큐그 게이트 요금 | 2.6 nC |
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