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IRLML0030TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC 큐그
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IRLML0030TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC 큐그

원래 장소 전화
브랜드 이름 Infineon
인증 ROHS
모델 번호 BSZ065N03LS
제품 세부 정보
상품 이름:
BSZ065N03LS
상태:
원형 100%
증가하는 타입:
MOSFET N-CH
전압 - 공급:
표준
맥스. 역류:
표준
애플리케이션:
트랜지스터 페트스 단일
제품 설명

                                                                                 IRLML0030TRPBF 트랜지스터 페트스 한 개의 MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC 큐그 0IRLML0030TRPBF 데이터 시트

특징과 혜택

특징
( ≤ 27mΩ) (의) 낮은 RDS
산업표준 핀 배치
현존하는 표면 장착 기술로 적합합니다
순응한 로에스가 어떤 납, 어떤 진정제와 어떤 할로겐도 함유하지 않습니다
MSL1, 산업적 자격

 

 

혜택

더 낮은 스위칭 로스
다중 공급자 호환성
더 쉬운 제작
환경적으로 우호적입니다
증가된 신뢰도

 

 

애플리케이션(들)

오우 Load/ 시스템 스위치

 

                                 
특성 속성 값
제조사 IR
상품 카테고리 FET - 단일
시리즈 HEXFET®
패키징교대 패키징
단일 가중치0.050717 온스
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
기술Si
작동 온도-55' C ~ 150' C (TJ)
설치형 표면 부착
공급 툴 장치 패키지 Micro3?/SOT-23
전계 효과 트랜지스터형MOSFET 엔-채널, 금속 산화물
전원 최대1.3W
VDSS - 드레인-소스 전압30V
입력 커패시턴스15V에 있는 382pF
FET 특징표준
Current-Continuous-Drain-Id-25' C5.3A (Ta)
Rds ON 상태 최대 ID -브그스 5.2A, 10V에 있는 27 모흠
브그스 -스 최대 ID25μA에 있는 2.3V
게이트전하 -큐그 -브그스 4.5V에 있는 2.6nC
Pd 전원 산재1.3 W
브그스 게이츠 원천 전압20 V
ID (드레인전류)5.3 A
Vds 배수 원천 고장 전압30 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항40 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
큐그 게이트 요금2.6 nC

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