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MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg dos transistor de IRLML0030TRPBF FETs-único
  • MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg dos transistor de IRLML0030TRPBF FETs-único

MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg dos transistor de IRLML0030TRPBF FETs-único

Lugar de origem Chamada
Marca Infineon
Certificação ROHS
Número do modelo BSZ065N03LS
Detalhes do produto
Nome do produto:
BSZ065N03LS
Circunstância:
Original 100%
Montando o tipo:
MOSFET N-CH
Tensão - fonte:
Padrão
Máximo Reverso Atual:
Padrão
Aplicação:
Transistor FETs-únicos
Descrição do produto

                                                                                 MOSFET N-CH 30V 5.2A 28mOhm 3.6nC Qg dos transistor de IRLML0030TRPBF FETs-único 0Folha de dados de IRLML0030TRPBF

Características e benefícios

Características
Baixo RDS (sobre) (≤ 27mΩ)
Pinout do padrão do setor
Compatível com técnicas de superfície existentes da montagem
RoHS complacente não contendo nenhuma ligação, nenhum brometo e nenhum halogênio
MSL1, qualificação industrial

 

 

Benefícios

Mais baixas perdas de comutação
compatibilidade do Multi-vendedor
Fabricação mais fácil
A favor do meio ambiente
Confiança aumentada

 

 

Aplicações

• Interruptor do sistema da carga

 

                                 
Atributo Valor de atributo
Fabricante IR
Categoria de produto FETs - únicos
Série HEXFET®
EmpacotamentoEmpacotamento alternativo
Unidade-peso0,050717 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TecnologiaSi
Operar-temperatura-55°C ~ 150°C (TJ)
Montagem-tipo Montagem de superfície
Fornecedor-Dispositivo-pacote Micro3? /SOT-23
FET-tipoN-canal do MOSFET, óxido de metal
Poder-máximo1.3W
VDSS – tensão da Dreno-fonte30V
Capacidade entrada382pF @ 15V
FET-característicaPadrão
Current-Continuous-Drain-Id-25°C5.3A (Ta)
RDS-Em-Máximo-identificação-Vgs 27 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs-th-Máximo-identificação2.3V @ 25μA
Porta-carga-Qg-Vgs 2.6nC @ 4.5V
Paládio-Poder-dissipação1,3 W
Vgs-Porta-Fonte-tensão20 V
Identificação (corrente do dreno)5,3 A
Vds-Dreno-Fonte-Divisão-tensão30 V
RDS-Em-Dreno-Fonte-resistência40 mOhms
Transistor-polaridade N-canal
Qg-Porta-carga2,6 nC

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
 
 
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original da microplaqueta do circuito integrado. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

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