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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | BSZ065N03LS |
特徴
低いRDS （） （≤ 27mΩ）
業界標準のpinout
既存の表面の台紙の技術と互換性がある
迎合的なRoHS鉛、臭化物およびハロゲンを含んでいない
MSL1の産業資格
より低い転換の損失
マルチベンダーの両立性
より容易な製造業
環境に優しい
高められた信頼性
•負荷システム スイッチ
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | IR |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | HEXFET® |
| 包装 | 互い違いの包装 |
| 単位重量 | 0.050717 oz |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | -55°C | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 表面の台紙 |
| 製造者装置パッケージ | Micro3か。/SOT-23 |
| FETタイプ | MOSFETのN-Channel、金属酸化物 |
| パワー最高 | 1.3W |
| VDSS –下水管源の電圧 | 30V |
| 入れられたキャパシタンス | 382pF @ 15V |
| FET特徴 | 標準 |
| 現在連続的下水管ID25°C | 5.3A （Ta） |
| Rds最高IDVgs | 27 mOhm @ 5.2A、10V |
| Vgs Th最高ID | 2.3V @ 25μA |
| ゲート充満Qg Vgs | 2.6nC @ 4.5V |
| Pd力消滅 | 1.3 W |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 5.3 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 30ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 40のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| Qgゲート充満 | 2.6 NC |
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