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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | NCV33152DR2G |
Ficha técnica de NCV33152DR2GLos MC34152/MC33152 son conductores de alta velocidad noninverting duales diseñados específicamente para los usos que requieren señales digitales de poca intensidad de conducir cargas capacitivas grandes con altas tarifas de ciénaga. Estos dispositivos ofrecen la corriente de entrada baja que hace les lógica de CMOS/LSTTL histéresis compatible, de la entrada para la transferencia rápida de la salida que es independiente del tiempo de transición de la entrada, y dos salidas de gran intensidad del tótem adecuadas idealmente para los MOSFETs del poder de conducción. También se incluye un cierre del undervoltage con la histéresis para prevenir la operación errática del sistema en los voltajes de fuente bajos. Los usos típicos incluyen fuentes de alimentación, los convertidores del dc−to−dc, los dobladores del voltaje de la bomba de carga del condensador/los inversores, y los reguladores del motor que cambian. Este dispositivo está disponible en paquetes del soporte del dual−in−line y de la superficie.
• Dos canales independientes con 1,5 salidas del tótem de A
• Subida de la salida y tiempos de caída de 15 ns con la carga de 1000 PF
• Entradas compatibles de CMOS/LSTTL con histéresis
• Cierre del Undervoltage con histéresis
• Corriente espera baja
• Operación de alta frecuencia eficiente
• Funcionamiento de sistema aumentado con el control común ICs del recorte regulador
• Prefijo de NCV para los usos automotrices y otros que requieren controles del sitio y del cambio
• Éstos son dispositivos de Pb−Free y de Halide−Free
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | onsemi |
| Categoría de producto | Conductores de la puerta |
| Serie | NCV33152 |
| Producto | Conductores de la puerta del MOSFET |
| Tipo | Bajo-lado |
| Empaquetado | Empaquetado alterno de la cinta del corte (CT) |
| Unidad-peso | 0,019048 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | Soporte superficial |
| Actuar-temperatura | 36ns, 32ns |
| Montaje-tipo | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Proveedor-Dispositivo-paquete | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) |
| Resolución-pedazos | 2 |
| Dato-interfaz | Independiente |
| Voltaje-Fuente-análogo | No-inversión |
| Voltaje-Fuente-digital | - |
| Configuración | No-inversión |
| Número-de-ADC-DACs | |
| Sigma-delta | 6,1 V ~ 18 V |
| S-n-ratio-ADC-DACs-DB-Typ | 0.8V, 2.6V |
| Dinámico-Gama-ADC-DACs-DB-Typ | 1.5A, 1.5A |
| Número-de-salidas | 2 salidas |
| Paladio-Poder-disipación | 560 mW |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 125 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 40 C |
| Actuar-Fuente-actual | 10,5 mA |
| Salida-actual | 1,5 A |
| Caída-tiempo | 32 ns |
| Tiempo de formación | 36 ns |
| Fuente-Voltaje-máximo | 18 V |
| Fuente-Voltaje-minuto | 6,1 V |
| Paquete-caso | SOIC-8 |
| Número-de-conductores | Conductor 2 |
Forma, paquete, componente compatible funcional
Descripciones
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