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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | NCV33152DR2G |
Fiche technique de NCV33152DR2GLes MC34152/MC33152 sont de doubles conducteurs à grande vitesse noninverting spécifiquement conçus pour les applications qui exigent les signaux numériques à faible intensité de conduire de grandes charges capacitives avec des taux de groupe élevés. Ces dispositifs comportent le bas courant d'entrée rendant leur la logique de CMOS/LSTTL hystérésis compatible, d'entrée pour la commutation rapide de sortie qui est indépendant de temps de transition d'entrée, et deux sorties à forte intensité de poteau de totem idéalement adaptées aux transistors MOSFET de puissance d'entraînement. Également inclus est un lock-out de sousvoltage avec l'hystérésis pour empêcher l'opération erratique de système à de basses tensions d'alimentation. Les applications typiques incluent les alimentations d'énergie, les convertisseurs de dc−to−dc, les doubleurs de tension de pompe de charge de condensateur/inverseurs, et les contrôleurs de changement de moteur. Ce dispositif est disponible en paquets de bâti de dual−in−line et de surface.
• Deux canaux indépendants avec 1,5 sorties de Polonais de totem
• Hausse de sortie et temps d'automne de 15 NS avec la charge de 1000 PF
• Entrées compatibles de CMOS/LSTTL avec l'hystérésis
• Lock-out de sousvoltage avec l'hystérésis
• Bas courant de réserve
• Opération à haute fréquence efficace
• Performances système augmentées avec le contrôle commun IC de régulateur de commutation
• Préfixe de NCV pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant des contrôles de site et de changement
• Ce sont des dispositifs de Pb−Free et de Halide−Free
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| Catégorie de produit | Conducteurs de porte |
| Série | NCV33152 |
| Produit | Conducteurs de porte de transistor MOSFET |
| Type | Du côté bas |
| Emballage | Coupez l'emballage alternatif de la bande (CT) |
| Unité-poids | 0,019048 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | Bâti extérieur |
| L'Actionner-température | 36ns, 32ns |
| De type support | -40°C | 150°C (TJ) |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
| Résolution-peu | 2 |
| Donnée-interface | Indépendant |
| Tension-Approvisionnement-analogue | Non-inverser |
| Tension-Approvisionnement-numérique | - |
| Configuration | Non-inverser |
| Nombre-de-CDA-DACs | |
| Sigma-delta | 6,1 V | 18 V |
| S-n-rapport-CDA-DACs-DB-Typ | 0.8V, 2.6V |
| Dynamique-Gamme-CDA-DACs-DB-Typ | 1.5A, 1.5A |
| Nombre-de-sorties | 2 sorties |
| Palladium-Puissance-dissipation | 560 mW |
| Température de fonctionnement maximum | + 125 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 40 C |
| Actionner-Approvisionnement-actuel | 10,5 mA |
| Sortie-actuel | 1,5 A |
| Chute fois | 32 NS |
| Temps de montée | 36 NS |
| Approvisionnement-Tension-maximum | 18 V |
| Approvisionnement-Tension-minute | 6,1 V |
| Paquet-cas | SOIC-8 |
| Nombre-de-conducteurs | Conducteur 2 |
Forme, paquet, composant compatible fonctionnel
Descriptions
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