MC34152/MC33152는 특히 저전류 디지털 신호가 높은 비틀림 비율과 큰 용량성 부하를 운전하도록 요구하는 적용을 위해 설계된 듀얼 논인버팅 고속도 운전자들입니다. 이러한 장치는 입력 전이 시간으로부터 독립한 빠른 출력 스위칭을 위해 그들에게 CMOS / 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 논리 적합한, 입력 이력현상을 만들어주는 저입력 전류를 특징으로 하고 두개의고 전류 토템 폴이 파워 모스펫을 운전해서 이상적으로 어울리는 것으로 출력합니다. 또한 포함하고 있는 것은 낮은 공급 전압에서 시스템 엉뚱한 운영을 방지하기 위한 이력현상과 하측 전압 로크 아웃이었습니다. 전형적인 애플리케이션은 교환 전원, 직류 직류 변환 회로, 캐패시터 충전 펌프 전압 더블러 / 인버터와 모터 제어 장치들을 포함합니다. 이 장치는 듀얼-인-라인과 표면 실장 패키지에 이용할 수 있습니다.
1.5개 토템 폴 출력과 오우 두 독립적인 채널
1000 pF 로드와 15 나노 초의 오우 출력 상승과 하강 시간
이력현상과 오우 CMOS / 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 호환 가능 입력
이력현상과 오우 하측 전압 로크 아웃
오우 저-대기 전류
오우 효율적 고주파 수 동작
공통 바꾼 규제 제어 ics와 오우 개선된 시스템 성능
자동차와 다른 적용 요구 사이트를 위한 오우 NCV 접두사와 변경 제어
오우 이것들이 Pb-프리와 무할로겐화물 장치입니다
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 온새미 |
상품 카테고리 | 게이트 드라이버 |
시리즈 | NCV33152 |
제품 | mosfet 게이트 드라이버 |
타입 | 로우-측 |
패키징 | 컷 테이프 (CT)는 패키징을 교체합니다 |
단일 가중치 | 0.019048 온스 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | 표면 부착 |
작동 온도 | 36 나노 초, 32 나노 초 |
설치형 | -40' C ~ 150' C (TJ) |
공급 툴 장치 패키지 | 8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭) |
결의안 비트 | 2 |
데이터 인터패이스 | 독립형 |
전압 공급 아날로그 | 비반전 |
전압 공급 디지털 | - |
구성 | 비반전 |
-아d스 DACS의 수 | |
시그마-델타 | 6.1 V ~ 18 V |
S-N-라티오-아d스-다크스-드비-티피 | 0.8V, 2.6V |
다이내믹 레인지 -아d스 DACS DB (데시벨) typ | 1.5A, 1.5A |
산출 번호 | 2개 출력 |
Pd 전원 산재 | 560 mW |
최대 작업 온도 | + 125 C |
작동 온도 범위 | - 40 C |
운영상 공급 경향 | 10.5 마 |
출력 전류 | 1.5 A |
낙하 시간 | 32 나노 초 |
오름시간 | 36 나노 초 |
공급 전압 최대 | 18 V |
공급 전압 분 | 6.1 V |
포장 케이스 | SOIC-8 |
운전자들의 번호 | 2개 드라이버 |
형식, 패키지, 기능적 호환 성분
기술
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