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NCV33152DR2Gのゲートの運転者1.5Aの高速二重非逆になるMOSFET
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NCV33152DR2Gのゲートの運転者1.5Aの高速二重非逆になるMOSFET

起源の場所 呼出し
ブランド名 onsemi
証明 ROHS
モデル番号 NCV33152DR2G
製品詳細
製品名:
NCV33152DR2G
条件:
原物100%
設置methodpe:
32 ns 36ns、32ns 1.5 Aは36 ns NCV33152 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)の低側を包むテープ(CT)代理を切った
パッケージ:
8-SOIC
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
ゲートの運転者
製品の説明

                                                    NCV33152DR2Gのゲートの運転者1.5Aの高速二重非逆になるMOSFET 0NCV33152DR2Gのデータ用紙

プロダクト細部

MC34152/MC33152はとりわけ高いスルー・レートの大きい容量性負荷を運転する低い現在のディジタル信号を要求する適用のために設計されている二重noninverting高速運転者である。これらの装置はそれらにCMOS/LSTTLの論理を入力遷移時間の独立者である、および理想的に運転力のMOSFETsに適する2高い現在のトーテム ポールの出力特色にする速い出力切換えのための多用性があるように、入力する低い入力電流をヒステリシス。また低い供給電圧でシステム風変わりな操作を防ぐヒステリシスを用いる不足電圧閉鎖は含まれている。典型的な適用は転換の電源、dc−to−dcのコンバーター、コンデンサーのチャージ ポンプの電圧ダブラー/インバーターおよびモーター コントローラーを含んでいる。この装置はdual−in−lineおよび表面の台紙のパッケージで利用できる。

特徴

•トーテム ポールの1.5出力が付いている2つの独立したチャネル
•1000 pFの負荷との15 nsの出力上昇そして落下時間
•ヒステリシスを用いるCMOS/LSTTLの多用性がある入力
•ヒステリシスを用いる不足電圧閉鎖
•低いスタンバイの流れ
•有効な高周波操作
•共通の転換の調整装置制御ICを用いる高められたシステム パフォーマンス
•場所および変更制御を要求する自動車および他の適用のためのNCVの接頭辞
•これらはPb−FreeおよびHalide−Free装置である

指定

                                 
属性 属性値
製造業者 onsemi
製品カテゴリ ゲートの運転者
シリーズ NCV33152
プロダクト MOSFETのゲートの運転者
タイプ 低側
包装切口テープ(CT)互い違いの包装
単位重量0.019048 oz
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 表面の台紙
作動温度36ns、32ns
土台タイプ -40°C | 150°C (TJ)
製造者装置パッケージ 8-SOIC (0.154"、3.90mmの幅)
決断ビット2
データ インターフェイス独立した
電圧供給アナログ 非逆になること
電圧供給デジタル -
構成 非逆になること
数のADCsDACs 
シグマ デルタ6.1 V | 18ボルト
S N比率ADCs DACs dbTyp0.8V、2.6V
動的範囲ADCs DACs dbTyp1.5A、1.5A
数の出力 2出力
Pd力消滅560 MW
最高使用可能温度+ 125 C
実用温度範囲 - 40 C
作動供給現在10.5 mA
出力現在1.5 A
落下時間32 ns
立上り時間36 ns
供給電圧最高18ボルト
供給電圧分6.1 V
パッケージ場合 SOIC-8
数の運転者 2運転者

形態、パッケージ、機能多用性がある部品

記述

低側のゲートの運転者IC非逆になる8-SOIC
運転者1.5A 2-OUTの高速非Inv自動車8 Pin SOIC N T/R
ゲートの運転者1.5Aの高速二重非逆になるMOSFET
 

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