Ficha técnica de BC848CWT1G
Detalles del producto
Silicio de NPN
Estos transistores se diseñan para los usos de fines generales del amplificador. Se contienen en el SC−70/SOT−323 que se diseña para los usos del soporte de la superficie de la energía baja.
• AEC−Q101 calificó y PPAP capaz
• Prefijo de S para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente
Especificaciones
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | onsemi |
Categoría de producto | Transistores (BJT) - solo |
Serie | BC848CW |
Empaquetado | Empaquetado alterno |
Unidad-peso | 0,000219 onzas |
Montaje-estilo | SMD/SMT |
Paquete-caso | SC-70, SOT-323 |
Montaje-tipo | Soporte superficial |
Proveedor-Dispositivo-paquete | SC-70-3 (SOT323) |
Configuración | Solo |
Poder-máximo | 150mW |
Transistor-tipo | NPN |
Colectores actuales eléctricos | 100mA |
Voltaje-Colector-Emisor-Avería-máximo | 30V |
DC-Actual-Aumento-hFE-Minuto-IC-Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Saturación de Vce | 600mV @ 5mA, 100mA |
Actual-Colector-Atajo-máximo | 15nA (ICBO) |
Frecuencia-transición | 100MHz |
Paladio-Poder-disipación | 150 mW |
Temperatura de funcionamiento máximo | + 150 C |
Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
Colector-Emisor-Voltaje-VCEO-máximo | 30 V |
Transistor-polaridad | NPN |
Colector-Emisor-Saturación-voltaje | 0,6 V |
Colector-Base-voltaje-VCBO | 30 V |
Emisor-Base-voltaje-VEBO | 5 V |
Máximo-DC-colector-actual | 0,1 A |
Aumento-Ancho de banda-Producto-pie | 100 megaciclos |
Continuo-Colector-actual | 0,1 A |
DC-Colector-Base-Aumento-hfe-minuto | 270 |
Descripciones
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: Plazo de expedición de la compra del grupo: 30-60 días; Plazo de expedición general: 20 días.
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