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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | onsemi |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | 2SD2560 |
BC848CWT1G 데이터 시트
제품 상세정보
NPN 실리콘
이러한 트랜지스터는 다용도의 증폭기 출원을 위해 설계됩니다. 그들은 저 소비 전력 표면 장착 적용품을 위해 설계되는 SC-70/SOT-323에 격납됩니다.
오우 AEC-Q101 자격 있고 PPAP 유능합니다
자동차를 위한 오우 Ｓ 접두사와 다른 적용 요구 유니크 사이트와 제어 변환 요구
오우 이러한 장치가 Pb-프리, 무독성 / BFR 자유롭고, 로에스 순응합니다
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 온새미 |
| 상품 카테고리 | 트랜지스터 (BJT) - 단일 |
| 시리즈 | BC848CW |
| 패키징 | 교대 패키징 |
| 단일 가중치 | 0.000219 온스 |
| 증가하는 방식 | SMD / SMT |
| 포장 케이스 | SC-70, SOT-323 |
| 설치형 | 표면 부착 |
| 공급 툴 장치 패키지 | SC-70-3 (SOT323) |
| 구성 | 단일 |
| 전원 최대 | 150mW |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류 수집기 | 100mA |
| 전압 수집기 방출기 고장 최대 | 30V |
| DC-커런트-게인-하페-민-이씨-프스 | 2mA, 5V에 있는 420 |
| 프스 포화 | 5mA, 100mA에 있는 600mV |
| 전류 집전극 결산일 최대 | 15nA (ICBO) |
| 주파수 전이 | 100MHz |
| Pd 전원 산재 | 150 mW |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 수집기 방출기 전압 -VCEO 최대 | 30 Ｖ |
| 트랜지스터 극성 | NPN |
| 수집기 방출기 포화 전압 | 0.6 Ｖ |
| 컬렉터 베이스 전압 -VCBO | 30 Ｖ |
| 방출기 베이스 전압 -VEBO | 5 Ｖ |
| 최대 DC 수집기 경향 | 0.1 A |
| 이득 대역폭 제품 FT | 100 마하즈 |
| 연속적인 수집기 경향 | 0.1 A |
| 토대 획득 -하페 분 DC 수집기 | 270 |
기술
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