BC848CWT1G-Datenblatt
Produkt-Details
NPN-Silikon
Diese Transistoren sind für universelle Verstärkeranwendungen bestimmt. Sie werden im SC−70/SOT−323 untergebracht, das für Oberflächen-Berganwendungen der geringen Energie bestimmt ist.
• AEC−Q101 qualifizierte und fähiges PPAP
• S-Präfix für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern
• Diese Geräte sind Pb−Free, das Halogen Free/BFR, das frei ist und sind konformes RoHS
Spezifikationen
Attribut | Attribut-Wert |
---|---|
Hersteller | onsemi |
Produkt-Kategorie | Transistoren (BJT) - einzeln |
Reihe | BC848CW |
Verpacken | Abwechselndes Verpacken |
Stückgewicht | 0,000219 Unze |
Montage-ähnlich | SMD/SMT |
Paket-Fall | SC-70, SOT-323 |
Montage-artig | Oberflächenberg |
Lieferant-Gerät-Paket | SC-70-3 (SOT323) |
Konfiguration | Einzeln |
Macht-maximal | 150mW |
Transistor-artig | NPN |
Elektrische Stromabnehmer | 100mA |
Spannung-Kollektor-Emitter-Zusammenbruch-maximal | 30V |
DC-Gegenwärtig-Gewinn-hFE-Minute-IC-Vce | 420 @ 2mA, 5V |
Vce-Sättigung | 600mV @ 5mA, 100mA |
Gegenwärtig-Kollektor-Abkürzung-maximal | 15nA (ICBO) |
Frequenz-Übergang | 100MHz |
PD-Energie-Ableitung | 150 mW |
Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-maximal | 30 V |
Transistor-Polarität | NPN |
Kollektor-Emitter-Sättigung-Spannung | 0,6 V |
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO | 30 V |
Emitter-Basis-Spannung-VEBO | 5 V |
Maximum-DC-Kollektor-gegenwärtig | 0,1 A |
Gewinn-Bandbreite-Produkt-fT | 100 MHZ |
Ununterbrochen-Kollektor-gegenwärtig | 0,1 A |
DC-Kollektor-Basis-Gewinn-hfe-Minute | 270 |
Beschreibungen
Wer sind wir?
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FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
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Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
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Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
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