Ficha técnica de AUIRFN8401TR
Detalles del producto
Descripción
Diseñado específicamente para los usos automotrices, este MOSFET del poder de HEXFET® utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento del empalme 175°C, velocidad rápidamente que cambia y grado repetidor mejorado de la avalancha. Estas características combinan para hacer este producto un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para el uso en automotriz y la gran variedad de otros usos.
• Tecnología de proceso avanzada
• En-resistencia ultrabaja
• temperatura de funcionamiento 175°C
• Transferencia rápida
• Avalancha repetidor permitida hasta Tjmax
• Sin plomo, RoHS obediente
• Automotriz calificado *
• Control de motor
• Protección reversa de la batería
• Cargas pesadas
Especificaciones
Cualidad | Valor del atributo |
---|---|
Fabricante | Rectificador internacional |
Categoría de producto | Transistores - FETs, MOSFETs - solos |
Empaquetado | Carrete |
Montaje-estilo | SMD/SMT |
Paquete-caso | PQFN-8 |
Tecnología | Si |
Número-de-canales | 1 canal |
Configuración | Solo |
Transistor-tipo | 1 canal N |
Paladio-Poder-disipación | 4,2 W |
Temperatura de funcionamiento máximo | + 175 C |
Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55C |
Caída-tiempo | 12 ns |
Tiempo de formación | 13 ns |
Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
Identificación (corriente del dren) | 84 A |
Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 40 V |
Vgs-th-Puerta-Fuente-Umbral-voltaje | 3 V |
Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 4,6 mOhms |
Transistor-polaridad | Canal N |
Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 22 ns |
Tiempo de retraso de abertura | 6,1 ns |
Qg-Puerta-carga | 44 nC |
Transconductancia | 144 S |
Canal-modo | Aumento |
Descripciones
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