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Einzelner N-Kanal HEXFET AUIRFN8401TR-Transistor MOSFET 40V
  • Einzelner N-Kanal HEXFET AUIRFN8401TR-Transistor MOSFET 40V

Einzelner N-Kanal HEXFET AUIRFN8401TR-Transistor MOSFET 40V

Herkunftsort Anruf
Markenname International Rectifier
Zertifizierung ROHS
Modellnummer AUIRFN8401TR
Produktdetails
Produkt-Name:
AUIRFN8401TR
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
Einzelner N-Kanal HEXFET MOSFET 40V
Paket:
QFN-8
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Produktbeschreibung

                                                                  Einzelner N-Kanal HEXFET AUIRFN8401TR-Transistor MOSFET 40V 0AUIRFN8401TR-Datenblatt
Produkt-Details

Beschreibung

Speziell entworfen für Automobilanwendungen, verwendet dieser HEXFET®-Energie MOSFET die spätesten Verfahrenstechniken, um - niedrigen Aufwiderstand pro Silikonbereich extrem zu erzielen. Zusätzliche Eigenschaften dieses Entwurfs sind eine Betriebstemperatur der Kreuzung 175°C, schneller Schaltverzögerung und verbesserter sich wiederholender Lawinenbewertung. Diese Eigenschaften kombinieren, um dieses Produkt ein extrem leistungsfähiges und zuverlässiges Gerät für Gebrauch in Automobil- und in der großen Vielfalt anderer Anwendungen herzustellen.

Eigenschaften

• Moderne Verfahrenstechnik
• Ultra niedriger Auf-Widerstand
• 175°C Betriebstemperatur
• Schnelle Schaltung
• Sich wiederholende Lawine erlaubt bis zu Tjmax
• Bleifrei, RoHS konform
• Automobil qualifiziert *

Anwendungen

• Motorsteuerung
• Rückbatterie-Schutz
• Schwere Lasten

Spezifikationen

                           
Attribut Attribut-Wert
Hersteller Internationaler Gleichrichter
Produkt-Kategorie Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
VerpackenSpule
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall PQFN-8
TechnologieSi
Zahl-von-Kanäle 1 Kanal
Konfiguration Einzeln
Transistor-artig 1 N-Kanal
PD-Energie-Ableitung4,2 W
Normalbetriebshöchsttemperatur + 175 C
Betriebstemperaturbereich- 55C
Abfallzeit12 ns
Anlaufzeit13 ns
Vgs-Tor-Quelle-Spannung20 V
Identifikation (Abflussstrom)84 A
Vds-Abfluss-Quelle-Zusammenbruch-Spannung40 V
Vgs-Th-Tor-Quelle-Schwelle-Spannung3 V
RDS-Auf-Abfluss-Quelle-Widerstand 4,6 mOhms
Transistor-Polarität N-Kanal
Typisch-Drehung-Weg-Verzögerung-mal 22 ns
Einschaltverzögerungs-Zeit6,1 ns
Qg-Tor-Gebühr44 nC
Transconductance144 S
Kanal-ModusVerbesserung

Beschreibungen

N-Kanal 40V 84A (Tc) 4.2W (Ta), 63W (Tc) Berg PQFN (5x6) der Oberflächen-
Si 40V 84A Automobil-8-Pin PQFN T/R Transport MOSFET N-CH
Einzelner N-Kanal HEXFET MOSFET 40V

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
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Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

 
 

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