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AUIRFN8401TR 트랜지스터 MOSFET 40V 한 개의 엔-채널 HEXFET
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AUIRFN8401TR 트랜지스터 MOSFET 40V 한 개의 엔-채널 HEXFET

원래 장소 전화
브랜드 이름 International Rectifier
인증 ROHS
모델 번호 AUIRFN8401TR
제품 세부 정보
상품 이름:
AUIRFN8401TR
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
MOSFET 40V 한 개의 엔-채널 HEXFET
패키지:
QFN-8
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
제품 설명

                                                                  AUIRFN8401TR 트랜지스터 MOSFET 40V 한 개의 엔-채널 HEXFET 0AUIRFN8401TR 데이터 시트
제품 상세정보

기술

특히 자동차 애플리케이션을 위해 설계되어 이 HEXFET® 파워 모스펫은 실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 극단적으로 달성하기 위해 최근 처리 기법을 이용합니다. 이 디자인의 추가 기능은 175' C 결합 작동 온도, 고속 스위칭 속도와 개선된 반복성 쇄도 평가입니다. 이러한 기능은 자동차와 다양한 다른 애플리케이션에 사용하기 위해 이 제품을 극단적으로 효율적이고 믿을 만한 기기로 만들기 위해 결합합니다.

특징

오우 발전적인 프로세스 기술
오우 극저 온 저항
오우 175' C 작동 온도
오우는 스위칭을 금식시킵니다
트주맥스까지 허락된 오우 반복성 쇄도
오우 무연, 로에스 순응합니다
오우 자동차 자격 있는

애플리케이션

오우 모터 콘트롤
오우 역류 배터리 보호
오우 무거운 짐

상술

                           
특성 속성 값
제조사 국제적인 정류기
상품 카테고리 트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
패키징
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 PQFN-8
기술Si
채널 수 1개 채널
구성 단일
트랜지스터 유형 1 엔-채널
Pd 전원 산재4.2 W
최대 작업 온도 + 175 C
작동 온도 범위- 55C
낙하 시간12 나노 초
오름시간13 나노 초
브그스 게이츠 원천 전압20 V
ID (드레인전류)84 A
Vds 배수 원천 고장 전압40 V
브그스 -스 게이츠 원천 한계 전압3 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항 4.6 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 22 나노 초
턴 온 지연 시간6.1 나노 초
큐그 게이트 요금44 nC
상호컨덕턴스144 S
채널 모드향상

기술

엔-채널 40V 84A (Tc) 4.2W (Ta), 63W (Tc) 표면 부착 PQFN (5x6)
트랜스 MOSFET N-CH Si 40V 84A 자동차 8-핀 PQFN 수입 담보 화물 보관증
MOSFET 40V 한 개의 엔-채널 HEXFET

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