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Semicondutor discreto
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| Lugar de origem | Chamada |
| Marca | VISHAY |
| Certificação | ROHS |
| Número do modelo | SI7196DP-T1-E3 |
Folha de Dados SI7196DP-T1-E3
Detalhes do produto
O RT8298 é um conversor DC/DC abaixador síncrono com um MOSFET de potência interna de lado alto integrado e um driver de porta para um MOSFET de potência externo de lado baixo.Ele pode fornecer até 6A de corrente de saída de uma fonte de entrada de 4,5V a 24V.
Faixa de tensão de entrada de 4,5 V a 24 V
Corrente de saída 6A
N-MOSFET lateral alto interno de 45mΩ
Controle do modo atual
Frequência de comutação de 600kHz
Saída ajustável de 0,8 V a 15 V
Até 95% de eficiência
Remuneração Interna
Estável com capacitores de cerâmica
Relógio externo síncrono: 300kHz a 1,5MHz
Limite de corrente ciclo a ciclo
Bloqueio de subtensão de entrada
Proteção contra subtensão de saída
Indicador de energia boa
Proteção de desligamento térmico
Compatível com RoHS e livre de halogênio
Regulador de ponto de carga no sistema de energia distribuído
Decodificadores digitais
Gravadores Digitais Pessoais
Comunicações de Banda Larga
TVs e monitores de tela plana
Especificações
| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | VISHAY |
| Categoria de Produto | FETs - Único |
| Series | SI71xxDx |
| Embalagem | Carretel |
| Pseudônimos | SI7196DP-E3 |
| Unidade de peso | 0,017870 onças |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Embalagem-Caixa | SO-8 |
| Tecnologia | Si |
| Número de canais | 1 canal |
| Configuração | Solteiro |
| tipo transistor | 1 Canal N |
| Pd-Power-Dissipação | 5 W |
| Temperatura operacional máxima | + 150 C |
| Faixa de temperatura operacional | - 55 C |
| Tempo de outono | 12 ns |
| Tempo de subida | 12 ns |
| Vgs-Gate-Source-Voltage | 20 V |
| ID (corrente de dreno) | 15,8 A |
| Vds-Dreno-Fonte-Quebra-Tensão | 30 V |
| RDS-On-Drain-Source-Resistance | 11 mOhms |
| Polaridade do Transistor | Canal N |
| Tempo de Atraso de Desligamento Típico | 22 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação | 21 ns |
| Modo de canal | Aprimoramento |
Descrições
Quem nós somos?
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