SI7196DP-T1-E3 데이터 시트
제품 상세정보
RT8298은 통합된 높은 쪽 내부 전원 MOSFET과 동시에 일어나는 단계적으로 감소하는 DC / dc 컨버터고 낮은 쪽 외부 전원 MOSFET을 위한 게이트 드라이버입니다. 그것은 4.5V부터 24V 입력 공급기까지 최고 6A까지 출력 전류를 전달할 수 있습니다.
4.5V 내지 24V 입력전압 범위
6A 출력 전류
45mΩInternal 높은 쪽 엔-모스페트
전류 모드 제어
600kHz 전환 주파수
0.8V부터 15V까지 조정할 수 있는 출력
최고 95%까지 효율
내부 보상
세라믹 콘덴서로 안정적입니다
동시에 일어나는 외부 시계 : 300kHz 내지 1.5MHz
싸이클 바이 싸이클 전류 한계
전압 잠금 하에 입력
전압 보호 하에 출력
전력 상태 양호 지표
온도 셧다운 보호
순응한 로에스와 무독성
분배된 전원 시스템에서 하중 조절기의 포인트
디지털 STB
개인용 디지털 리코더
광대역 통신
평면 TV와 모니터
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 비샤이 |
상품 카테고리 | FET - 단일 |
시리즈 | SI71xxDx |
패키징 | 릴 |
부분적 가칭 | SI7196DP-E3 |
단일 가중치 | 0.017870 온스 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | SO-8 |
기술 | Si |
채널 수 | 1개 채널 |
구성 | 단일 |
트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
Pd 전원 산재 | 5 W |
최대 작업 온도 | + 150 C |
작동 온도 범위 | - 55 C |
낙하 시간 | 12 나노 초 |
오름시간 | 12 나노 초 |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 15.8 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 30 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 11 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 22 나노 초 |
턴 온 지연 시간 | 21 나노 초 |
채널 모드 | 향상 |
기술
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