SI7196DP-T1-E3データ用紙
プロダクト細部
RT8298は低い側面の外部力MOSFETのための統合された高い側面内部力MOSFETそしてゲートの運転者が付いている同期軽減するDC/DCのコンバーターである。それは4.5Vからの24V入力供給に6A出力電流まで渡すことができる。
4.5Vへの24Vは電圧範囲を入れた
6A出力電流
45mΩInternal高い側面N-MOSFET
現在のモード制御
600kHz転換の頻度
0.8Vからの15Vへの調節可能な出力
95%まで効率
内部補償
陶磁器のコンデンサーが付いている馬小屋
同期外的な時計:300kHzへの1.5MHz
周期によ周期の現在の限界
電圧閉鎖の下の入力
電圧保護の下の出力
力のよい表示器
熱操業停止の保護
迎合的な自由なRoHSおよびハロゲン
分散パワー系統の負荷調整装置のポイント
デジタル セット トップ ボックス
デジタル個人的なレコーダー
広帯域通信
フラット パネルTVおよびモニター
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | VISHAY |
製品カテゴリ | 単一FETs - |
シリーズ | SI71xxDx |
包装 | 巻き枠 |
一部別名 | SI7196DP-E3 |
単位重量 | 0.017870 oz |
土台式 | SMD/SMT |
パッケージ場合 | SO-8 |
技術 | Si |
数のチャネル | 1つのチャネル |
構成 | 単一 |
トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
Pd力消滅 | 5 W |
最高使用可能温度 | + 150 C |
実用温度範囲 | - 55 C |
落下時間 | 12 ns |
立上り時間 | 12 ns |
Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
ID (下水管の流れ) | 15.8のA |
Vds下水管源故障電圧 | 30ボルト |
Rds下水管源抵抗 | 11のmOhms |
トランジスター極性 | N-Channel |
典型的回転遅れ時間 | 22 ns |
Turn-On遅れ時間 | 21 ns |
チャネル モード | 強化 |
記述
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