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SI7196DP-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SIRA18DP-T1-GE3を推薦した
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SI7196DP-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SIRA18DP-T1-GE3を推薦した

起源の場所 呼出し
ブランド名 VISHAY
証明 ROHS
モデル番号 SI7196DP-T1-E3
製品詳細
製品名:
SI7196DP-T1-E3
条件:
原物100%
設置methodpe:
MOSFET 15.8 SMD/SMT 1チャネル- 55 C SO-8 5 WのN-Channel 30 V
パッケージ:
PowerPAK® SO-8
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
製品の説明

                                                                  SI7196DP-T1-E3トランジスターMOSFETはALT 78-SIRA18DP-T1-GE3を推薦した 0SI7196DP-T1-E3データ用紙
プロダクト細部

概説

RT8298は低い側面の外部力MOSFETのための統合された高い側面内部力MOSFETそしてゲートの運転者が付いている同期軽減するDC/DCのコンバーターである。それは4.5Vからの24V入力供給に6A出力電流まで渡すことができる。

特徴

4.5Vへの24Vは電圧範囲を入れた
6A出力電流
45mΩInternal高い側面N-MOSFET
現在のモード制御
600kHz転換の頻度
0.8Vからの15Vへの調節可能な出力
95%まで効率
内部補償
陶磁器のコンデンサーが付いている馬小屋
同期外的な時計:300kHzへの1.5MHz
周期によ周期の現在の限界
電圧閉鎖の下の入力
電圧保護の下の出力
力のよい表示器
熱操業停止の保護
迎合的な自由なRoHSおよびハロゲン

適用

分散パワー系統の負荷調整装置のポイント
デジタル セット トップ ボックス
デジタル個人的なレコーダー
広帯域通信
フラット パネルTVおよびモニター

指定

                         
属性 属性値
製造業者 VISHAY
製品カテゴリ 単一FETs -
シリーズ SI71xxDx
包装巻き枠
一部別名SI7196DP-E3
単位重量0.017870 oz
土台式 SMD/SMT
パッケージ場合 SO-8
技術Si
数のチャネル 1つのチャネル
構成 単一
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
Pd力消滅 5 W
最高使用可能温度+ 150 C
実用温度範囲- 55 C
落下時間12 ns
立上り時間12 ns
Vgsゲート源電圧20ボルト
ID (下水管の流れ) 15.8のA
Vds下水管源故障電圧30ボルト
Rds下水管源抵抗11のmOhms
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 22 ns
Turn-On遅れ時間21 ns
チャネル モード強化

記述

N-Channel 30V 16A (Tc) 5W (Ta)、41.6W (Tc)表面の台紙PowerPAKか。SO-8
そうTRANS MOSFET N-CH 30V 15.8A 8 Pin PowerPAK T/R
MOSFET 30V 16A 41.6W

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