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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | STU85N3LH5 |
STU85N3LH5 데이터 시트
제품 상세정보
이 제품은 ST의 독점적 스트립펫텀 기술의 설계 규칙의 5번째 세대를 이용합니다. 낮게 이용 가능한 RDS(on)*Qg가 표준 패키지에서 이 장치를 달성되도록 고출력 밀도인 가장 부담스러운 직류-직류 변환기 응용에 적합하게 합니다.
■ 큐그 산업 (의) RDS는 기준을 정합니다
■ 극단적으로 낮은 온 저항 RDS (계속)
■ 높은 쇄도 거침성
■ 낮은 게이트는 전력 손실을 운전합니다
교환 응용
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | 엔-채널 스트립페트 |
| 패키징 | 튜브 |
| 단일 가중치 | 0.139332 온스 |
| 증가하는 방식 | 관통 홀 |
| 포장 케이스 | IPAK-3 |
| 기술 | Si |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 구성 | 단일 |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| Pd 전원 산재 | 70 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 175 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 10.8 나노 초 |
| 오름시간 | 14 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 22 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 80 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 30 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 5.4 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 23.6 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 6 나노 초 |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
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