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STU85N3LH5ケイ素力の電界効果トランジスタ0.0071ohmのN-Channel
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STU85N3LH5ケイ素力の電界効果トランジスタ0.0071ohmのN-Channel

起源の場所 呼出し
ブランド名 Alpha & Omega Semiconductor Inc.
証明 ROHS
モデル番号 STU85N3LH5
製品詳細
製品名:
STU85N3LH5
条件:
原物100%
設置methodpe:
穴1チャネル- 55 C IPAK-3 70 WのN-Channel 30 Vを通したMOSFET 80 A
パッケージ:
TO-251-3不足分の鉛、IPak、TO-251AA
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
単一トランジスター- MOSFETsのFETs -
ハイライト: 

ケイ素の電界効果トランジスタ

,

0.0071ohm電界効果トランジスタ

,

STU85N3LH5

製品の説明

                                                                  STU85N3LH5ケイ素力の電界効果トランジスタ0.0071ohmのN-Channel 0STU85N3LH5データ用紙
プロダクト細部

記述

このプロダクトはSTの専有STripFETTMの技術の設計規則の第5生成を利用する。最も低い利用できるRDSの() *Qgは、標準パッケージで、この装置を高い発電密度が達成される最もデマンドが高いDC-DCのコンバーターの塗布のために適したようにする。

特徴

RDS () * Qgの企業の基準
■極端に低いオン抵抗RDS ()
■高いなだれの険しさ
■低いゲート ドライブ電源切れ

適用

転換の適用

 

 

指定

 

                         
属性 属性値
製造業者 STMicroelectronics
製品カテゴリ 単一FETs -
シリーズ N-channel STripFET
包装
単位重量0.139332 oz
土台式 穴を通して
パッケージ場合 IPAK-3
技術Si
数のチャネル 1つのチャネル
構成 単一
トランジスター タイプ 1つのN-Channel
Pd力消滅70 W
最高使用可能温度 + 175 C
実用温度範囲- 55 C
落下時間10.8のns
立上り時間14 ns
Vgsゲート源電圧22ボルト
ID (下水管の流れ)80 A
Vds下水管源故障電圧30ボルト
Rds下水管源抵抗5.4のmOhms
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 23.6 ns
Turn-On遅れ時間6 ns
チャネル モード強化

記述

N-Channel 30V 80A (穴私朴を通したTc) 70W (Tc)
TRANS MOSFET N-CH 30V 80A 3 Pin (3+Tab) IPAKの管
MOSFETのN-channel 30V

 

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FAQ
Q:あなた商事会社または製造業者はであるか。
:私達は集積回路の破片の元の製造業者である。私達はOEM/ODMビジネスをしてもいい。
Q:どの位あなたの受渡し時間はあるか。
:グループの購買の受渡し時間:30-60日;概要の受渡し時間:20日。
Q:あなたの支払い条件は何であるか。
:沈殿物としてT/T 30%、および配達の前の70%。
Q:あなたのプロダクトを買う方法か。
:私達の会社からのプロダクトを直接買うことができる。通常プロシージャはあなたの国に配達に印契約、T/Tによる支払、連絡する運送会社に商品である。
Q:保証は何であるか。
:自由な保証は修飾される依託の日からの1年ある。自由な保証期間内の私達のプロダクトのための欠陥があれば、私達はそれを修理し、自由のための欠陥アセンブリを変える。

 
 

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