Scheda STU85N3LH5
Dettagli del prodotto
Questo prodotto utilizza la quinta generazione di regole di progettazione di tecnologia privata dello STripFETTM della st. Il *Qg di RDS disponibile più basso (sopra), nei imballaggi di serie, rende questo dispositivo adatto ad applicazioni del convertitore cc-cc più esigenti, dove la densità di alto potere deve essere raggiunta.
■Punto di riferimento di industria di RDS (sopra) * Qg
■Estremamente - su resistenza bassa RDS (sopra)
■Alta irregolarità della valanga
■Perdite di trasmettitore basse del portone
Applicazioni di commutazione
Specifiche
Attributo | Valore di attributo |
---|---|
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria di prodotto | FETs - singoli |
Serie | N-Manica STripFET |
Imballaggio | Metropolitana |
Unità-peso | 0,139332 once |
Stile montaggio | Attraverso il foro |
Pacchetto-caso | IPAK-3 |
Tecnologia | Si |
Numero-de-canali | 1 Manica |
Configurazione | Singolo |
Transistor tipo | 1 N-Manica |
Palladio-Potere-dissipazione | 70 W |
Temperatura di funzionamento massima | + 175 C |
Gamma di temperatura di funzionamento | - 55 C |
Tempo caduta | NS 10,8 |
Tempo di salita | 14 NS |
Vgs-Portone-Fonte-tensione | 22 V |
Identificazione (corrente dello scolo) | 80 A |
Vds-Scolo-Fonte-Ripartizione-tensione | 30 V |
RDS-Su-Scolo-Fonte-resistenza | 5,4 mOhms |
Transistor-polarità | N-Manica |
Tempo tipico | 23,6 NS |
Tempo di ritardo d'apertura | 6 NS |
Manica-modo | Potenziamento |
Descrizioni
Chi siamo?
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FAQ
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: Siamo produttore originale OF Integrated Circuit Chip. Possiamo fare l'affare di OEM/ODM.
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: Termine di consegna di acquisto del gruppo: 30-60 giorni; Termine di consegna generale: 20 giorni.
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