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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IRF6604 |
IRF6604는 SO-8의 발자국과 단지 0.7 밀리미터 프로필을 가지고 있는 패키지에서 가장 낮은 온-상태 저항 유료 상품을 달성하기 위해 최근 HEXFET® 파워 모스펫 실리콘 기술을 진보적 디렉트펫텀 패키징과 결합합니다. 디렉트페트 패키지는 응용 노트 AN-1035가 제조 방법과 과정에 관하여 따르게 되는 때인 전력 적용, 인쇄 회로 판 어셈블리 장비 그리고 기체상 인프라 레드이거나 상승 기류 납땜 기술에서 사용된 현존하는 레이아웃 기하학과 호환 가능합니다. 디렉트페트 패키지는 양면 배밀도 디스켓 냉방이 파워 시스템, 80%까지 개선 이전 최고 열 저항에서 열 이동을 극대화할 수 있게 허락합니다.
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 국제적인 정류기 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 탑재 | 표면 부착 |
| 핀의 수 | 7 |
| 연속배수 경향 ID | 12.5 A |
| 전류 등급 | 12 A |
| 원천 고장 전압에 고갈되세요 | 30 Ｖ |
| 원천 저항에 고갈되세요 | 9 mΩ |
| 원천 전압 VDS에 고갈되세요 | 30 Ｖ |
| 낙하 시간 | 25 나노 초 |
| 원천 전압 -브그스에 대한 게이츠 | 12 Ｖ |
| 입력 커패시턴스 | 2.27 nF |
| 최대 작동 온도 | 150 'Ｃ |
| MAX 출력 산재 | 2.3 Ｗ |
| 민 작동 온도 | -40 'Ｃ |
| 패키징 | 컷 테이프 |
| 전력 소모 | 2.3 Ｗ |
| Rds ON 상태 최대 | 11.5 mΩ |
| 저항 | 11.5 MΩ |
| 오름시간 | 4.3 나노 초 |
| 턴오프소멸시간 | 18 나노 초 |
| 전압 정격 DC | 30 Ｖ |
| 무연 | 무연성 |
| 로에스 | 순응합니다 |
CPU 코어 직류-직류 변환기에 이상적인 오우
오우 저전도 손실
오우 저스위칭 손실
오우 저자세 (<0>
적합한 오우 양면 배밀도 디스켓 냉각
현존하는 표면 장착 기술로 적합한 오우
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