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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IRF6604 |
IRF6604はSO-8および0.7ただmmのプロフィールの足跡があるパッケージに最も低いオン州の抵抗充満プロダクトを達成するために包む高度のDirectFETTMと最も最近のHEXFET®力MOSFETのケイ素の技術を結合する。DirectFETのパッケージはアプリケーション ノートAN-1035が製造方法およびプロセスに関して続かれるとき力の適用、PCBアセンブリ装置および蒸気段階の、赤外線または対流のはんだ付けする技術で使用される既存のレイアウトの幾何学と互換性がある。DirectFETのパッケージは80%によって前の最もよい熱抵抗を改善するパワー系統の熱移動を最大にする二重味方された冷却を可能にする。
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | 国際的な整流器 |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| 台紙 | 表面の台紙 |
| 数のピン | 7 |
| 連続的下水管現在ID | 12.5のA |
| 現在評価 | 12 A |
| 下水管に源故障電圧 | 30ボルト |
| 下水管に源抵抗 | 9 mΩ |
| 下水管に源電圧Vdss | 30ボルト |
| 落下時間 | 25 ns |
| ゲートに源電圧Vgs | 12ボルト |
| 入力キャパシタンス | 2.27 nF |
| 最高作動温度 | 150 °C |
| 最高力消滅 | 2.3 W |
| 分作動温度 | -40 °C |
| 包装 | テープを切りなさい |
| パワー消滅 | 2.3 W |
| Rds最高 | 11.5のmΩ |
| 抵抗 | 11.5 MΩ |
| 立上り時間 | 4.3 ns |
| 回転遅れ時間 | 18 ns |
| 電圧評価DC | 30ボルト |
| 無鉛 | 無鉛 |
| RoHS | 迎合的 |
•CPUの中心DC-DCのコンバーターのための理想
•低い伝導の損失
•低い転換の損失
•控えめ（<0>
•互換性がある二重味方された冷却
•既存の表面の台紙の技術と互換性がある
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