IRF6604 ein 30V einzelner Energie MOSFET des N-Kanal-HEXFET in einem DirectFET St.-Paket. Empfohlener Ersatz ist IRF6621

                                                                                 Datenblatt IRF6604

Beschreibung

Das IRF6604 kombiniert die späteste HEXFET®-Macht MOSFET-Silikontechnologie mit dem modernen DirectFETTM, das verpackt, um das niedrigste Durchlasswiderstandvorwurfsprodukt in einem Paket zu erzielen, das den Abdruck eines SO-8 und des nur 0,7 Millimeter-Profils hat. Das DirectFET-Paket ist mit den vorhandenen Plangeometrie kompatibel, die in den Infrarot- oder der Konvektion lötenden Techniken der Machtanwendungs-, PWB-Versammlungsausrüstungs- und Dampfphase, verwendet werden, wenn Anwendungsanmerkung AN-1035 betreffend die Produktionsmethoden und den Prozess gefolgt wird. Das DirectFET-Paket erlaubt das mit Seiten versehene Doppelc$abkühlen, zum der thermischen Übertragung in die Stromnetze zu maximieren und VERBESSERT vorhergehenden besten thermischen Widerstand durch 80%.

• Anwendungsspezifische MOSFETs

• Ideal für Konverter CPU-Kern-DC-DC
• Niedrige Leitungs-Verluste
• Niedrige zugeschaltete Verluste
• Zurückhaltung (<0>
• Mit Seiten versehenes Doppelc$abkühlen kompatibel
• Kompatibel mit vorhandenen Oberflächenberg-Techniken

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
 
 
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