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Puissance du N-canal 600 V Mdmesh II de transistor MOSFET de transistors de STW26NM60N
  • Puissance du N-canal 600 V Mdmesh II de transistor MOSFET de transistors de STW26NM60N

Puissance du N-canal 600 V Mdmesh II de transistor MOSFET de transistors de STW26NM60N

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Infineon
Certification ROHS
Numéro de modèle STW26NM60N
Détails du produit
Nom de produit:
STW26NM60N
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
Transistor MOSFET 20 A par la Manche du trou 1 - 55 N-canal 600 V de C TO-247-3 140 W
Paquet:
TO-247
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
FETs - simples
Description de produit

                                                                  Puissance du N-canal 600 V Mdmesh II de transistor MOSFET de transistors de STW26NM60N 0Fiche technique de STW26NM60N
Détails de produit
Caractéristiques

                                     
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie de produit FETs - simples
Série MDmesh™ II
EmballageTube
Unité-poids1,340411 onces
De style du support Par le trou
Paquet-cas TO-247-3
TechnologieSI
L'Actionner-température150°C (TJ)
De type support Par le trou
Nombre-de-canaux La 1 Manche
Fournisseur-Dispositif-paquet TO-247-3
Configuration Simple
De type FETN-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal
Puissance-maximum140W
De type transistor 1 N-canal
VDSS – tension de Drain-source600V
Capacité d'entrée 1800pF @ 50V
FET-caractéristiqueNorme
Current-Continuous-Drain-Id-25°C20A (comité technique)
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs 165 mOhm @ 10A, 10V
Vgs-Th-Maximum-identification4V @ 250μA
Porte-charge-Qg-Vgs 60nC @ 10V
Palladium-Puissance-dissipation140 W
Température de fonctionnement maximum + 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Chute fois 50 NS
Temps de montée25 NS
Vgs-Porte-Source-tension25 V
Identification (courant de drain) 20 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension600 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance135 mOhms
Transistor-polarité N-canal
Typique Tour Retard fois 85 NS
Temps de retard d'ouverture13 NS
Transconductance10 S
Canal-modeAmélioration
 

Descriptions

 

N-canal 600V 20A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-247-3
Puissance du N-canal 600 V Mdmesh II de transistor MOSFET

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
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: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
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: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

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