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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | Infineon |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | STW26NM60N |
STW26NM60Nのデータ用紙
プロダクト細部
指定
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | STMicroelectronics |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| シリーズ | MDmesh™ II |
| 包装 | 管 |
| 単位重量 | 1.340411 oz |
| 土台式 | 穴を通して |
| パッケージ場合 | TO-247-3 |
| 技術 | Si |
| 作動温度 | 150°C （TJ） |
| 土台タイプ | 穴を通して |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 製造者装置パッケージ | TO-247-3 |
| 構成 | 単一 |
| FETタイプ | MOSFETのN-Channel、金属酸化物 |
| パワー最高 | 140W |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| VDSS –下水管源の電圧 | 600V |
| 入れられたキャパシタンス | 1800pF @ 50V |
| FET特徴 | 標準 |
| 現在連続的下水管ID25°C | 20A （Tc） |
| Rds最高IDVgs | 165 mOhm @ 10A、10V |
| Vgs Th最高ID | 4V @ 250μA |
| ゲート充満Qg Vgs | 60nC @ 10V |
| Pd力消滅 | 140 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 50 ns |
| 立上り時間 | 25 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 25ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 20 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 600ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 135のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 85 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 13 ns |
| 相互コンダクタンス | 10 S |
| チャネル モード | 強化 |
記述
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