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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | STW26NM60N |
STW26NM60N 데이터 시트
제품 상세정보
상술
| 특성 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | 스트미크로일렉트로닉스 |
| 상품 카테고리 | FET - 단일 |
| 시리즈 | 마드메쉬티엠 II |
| 패키징 | 튜브 |
| 단일 가중치 | 1.340411 온스 |
| 증가하는 방식 | 관통 홀 |
| 포장 케이스 | TO-247-3 |
| 기술 | Si |
| 작동 온도 | 150' Ｃ (TJ) |
| 설치형 | 관통 홀 |
| 채널 수 | 1개 채널 |
| 공급 툴 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 구성 | 단일 |
| 전계 효과 트랜지스터형 | MOSFET 엔-채널, 금속 산화물 |
| 전원 최대 | 140W |
| 트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
| VDSS - 드레인-소스 전압 | 600V |
| 입력 커패시턴스 | 50V에 있는 1800pF |
| FET 특징 | 표준 |
| Current-Continuous-Drain-Id-25' Ｃ | 20A (Tc) |
| Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 10A, 10V에 있는 165 모흠 |
| 브그스 -스 최대 ID | 250μA에 있는 4V |
| 게이트전하 -큐그 -브그스 | 10V에 있는 60nC |
| Pd 전원 산재 | 140 Ｗ |
| 최대 작업 온도 | + 150 Ｃ |
| 작동 온도 범위 | - 55 Ｃ |
| 낙하 시간 | 50 나노 초 |
| 오름시간 | 25 나노 초 |
| 브그스 게이츠 원천 전압 | 25 Ｖ |
| ID (드레인전류) | 20 A |
| Vds 배수 원천 고장 전압 | 600 Ｖ |
| Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 135 모엠에스 |
| 트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
| 전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 85 나노 초 |
| 턴 온 지연 시간 | 13 나노 초 |
| 상호컨덕턴스 | 10 Ｓ |
| 채널 모드 | 향상 |
기술
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