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Transistors bipolaires de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN
  • Transistors bipolaires de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN

Transistors bipolaires de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN

Lieu d'origine Appel
Nom de marque onsemi
Certification ROHS
Numéro de modèle BC847ALT1G
Détails du produit
Nom de produit:
BC847ALT1G
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
BJT choisissent 45 V + 150 0H1 DU MATIN /SMT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 mW BC847AL NPN de C
Paquet:
SOT-23
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors (BJT) - simple
Description de produit

                                                                  Transistors bipolaires de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN 0Fiche technique de BC847ALT1G
Détails de produit

Transistors d'usage universel

Silicium de NPN

Caractéristiques

• Niveau de sensibilité d'humidité : 1
• Modèle de corps humain de − d'estimation d'ESD : >4000 V
Modèle de machine de − d'estimation d'ESD : >400 V
• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHSCompliant

Caractéristiques

                                 
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant SUR le semi-conducteur
Catégorie de produit Transistors (BJT) - simple
Série BC847AL
EmballageEmballage alternatif
Unité-poids0,050717 onces
De style du support SMD/SMT
Paquet-cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
De type support Bâti extérieur
Fournisseur-Dispositif-paquet SOT-23-3 (TO-236)
Configuration Simple
Puissance-maximum300mW
De type transistor NPN
Collecteurs de courant électrique100mA
Tension-Collecteur-Émetteur-Panne-maximum45V
C.C-Actuel-Gain-hFE-Minute-IC-Vce 110 @ 2mA, 5V
Saturation de Vce600mV @ 5mA, 100mA
Actuel-Collecteur-Coupure-maximum15nA (ICBO)
Fréquence-transition100MHz
Palladium-Puissance-dissipation225 mW
Température de fonctionnement maximum+ 150 C
Gamme de température de fonctionnement- 55 C
Collecteur-Émetteur-Tension-VCEO-maximum45 V
Transistor-polarité NPN
Collecteur-Émetteur-Saturation-tension0,6 V
Collecteur-Base-tension-VCBO50 V
Émetteur-Base-tension-VEBO6 V
Maximum-C.C-collecteur-actuel0,1 A
Gain-Largeur de bande-Produit-pi100 mégahertz
Continu-Collecteur-actuel 0,1 A
C.C-Collecteur-Base-Gain-hfe-minute 110
 

Descriptions

Bâti extérieur bipolaire SOT-23-3 (TO-236) du transistor (BJT) NPN 45V 100mA 100MHz 300mW
Généraliste BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin des véhicules à moteur SOT-23 T/R de transport
Transistors bipolaires - BJT 100mA 50V NPN

Qui sommes-nous ?
est une société professionnelle de commercialisation entièrement occupée dans les champs des semi-conducteurs et des composants électroniques vente et le service pour des clients sur 10 ans, se spécialise en vendant le nouveau et l'usine inutilisée et originale du joint les composants électroniques de garniture. spécialisez-vous dans IC, diode, le transistor, IGBT, *** de convertisseur de DC-DC ..... a installé notre propre conception de service de ventes et a déjà établi des associations fortes avec beaucoup de fabricants célèbres et nous avons plus de 5 000 000 genres de composants électroniques pour vos choix, toujours à vos services !
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original OF Integrated Circuit Chip. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?
: Délai de livraison d'achats de groupe : 30-60 jours ; Délai de livraison général : 20 jours.
Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
: Vous pouvez acheter les produits de notre société directement. Normalement la procédure est signe le contrat, paiement par T/T, contactent la compagnie maritime à la livraison les marchandises à votre pays.
Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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