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BC847ALT1G-bipolar Transistor - BJT 100mA 50V NPN
  • BC847ALT1G-bipolar Transistor - BJT 100mA 50V NPN

BC847ALT1G-bipolar Transistor - BJT 100mA 50V NPN

Herkunftsort Anruf
Markenname onsemi
Zertifizierung ROHS
Modellnummer BC847ALT1G
Produktdetails
Produkt-Name:
BC847ALT1G
Bedingung:
Vorlage 100%
Installation methodpe:
BJT sondern 45 V + 150 C 0,1 EIN SMD/SMT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 mW BC847AL NPN aus
Paket:
SOT-23
Spannung - Versorgung:
Internationaler Standard
Max. Reverse Current:
Internationaler Standard
Anwendung:
Transistoren (BJT) - einzeln
Produktbeschreibung

                                                                  BC847ALT1G-bipolar Transistor - BJT 100mA 50V NPN 0BC847ALT1G-Datenblatt
Produkt-Details

Universelle Transistoren

NPN-Silikon

Eigenschaften

• Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau: 1
• Esd-Bewertung − menschlicher Körper-Modell: >4000 V
Esd-Bewertung − Maschinen-Modell: >400 V
• Diese Geräte sind Pb−Free, das freie Halogen Free/BFR und sind RoHSCompliant

Spezifikationen

                                 
Attribut Attribut-Wert
Hersteller AUF Halbleiter
Produkt-Kategorie Transistoren (BJT) - einzeln
Reihe BC847AL
VerpackenAbwechselndes Verpacken
Stückgewicht0,050717 Unze
Montage-ähnlich SMD/SMT
Paket-Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Montage-artig Oberflächenberg
Lieferant-Gerät-Paket SOT-23-3 (TO-236)
Konfiguration Einzeln
Macht-maximal300mW
Transistor-artig NPN
Elektrische Stromabnehmer100mA
Spannung-Kollektor-Emitter-Zusammenbruch-maximal45V
DC-Gegenwärtig-Gewinn-hFE-Minute-IC-Vce 110 @ 2mA, 5V
Vce-Sättigung600mV @ 5mA, 100mA
Gegenwärtig-Kollektor-Abkürzung-maximal15nA (ICBO)
Frequenz-Übergang100MHz
PD-Energie-Ableitung225 mW
Normalbetriebshöchsttemperatur+ 150 C
Betriebstemperaturbereich- 55 C
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-maximal45 V
Transistor-Polarität NPN
Kollektor-Emitter-Sättigung-Spannung0,6 V
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO50 V
Emitter-Basis-Spannung-VEBO6 V
Maximum-DC-Kollektor-gegenwärtig0,1 A
Gewinn-Bandbreite-Produkt-fT100 MHZ
Ununterbrochen-Kollektor-gegenwärtig 0,1 A
DC-Kollektor-Basis-Gewinn-hfe-Minute 110
 

Beschreibungen

Zweipoliger Oberflächenberg SOT-23-3 (TO-236) des Transistor-(BJT) NPN 45V 100mA 100MHz 300mW
Transport GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW Automobil-3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistor - BJT 100mA 50V NPN

Wer sind wir?
ist eine professionelle EDV-Marketing Gesellschaft, die völlig an den Feldern von Halbleitern und von elektronischen Bauelementen Verkauf und Service für Kunden in 10 Jahren teilnimmt, spezialisiert sich, auf, das neue zu verkaufen und unbenutzte, ursprüngliche Fabrik versiegelte verpackende elektronische Bauelemente. spezialisieren Sie sich auf IC, Diode, Transistor, IGBT, DDC ..... *** hat gegründet unsere eigene Verkaufsservice-Konzeption und hat hergestellt bereits starke Partnerschaften mit vielen berühmten Herstellern und wir haben mehr als 5.000.000 Arten elektronische Bauelemente für Ihre Wahlen, immer an Ihren Dienstleistungen!
FAQ
Q: Sind Sie Handelsgesellschaft oder Hersteller?
: Wir sind ursprünglicher Hersteller OF Integrated Circuit Chip. Wir können OEM-/ODMgeschäft tätigen.
Q: Wie lang ist Ihre Lieferfrist?
: GruppenkaufLieferfrist: 30-60 Tage; Allgemeine Lieferfrist: 20 Tage.
Q: Was ist Ihre Zahlungsfristen?
: T/T 30% als Ablagerung und 70% vor Lieferung.
Q: Wie man Ihre Produkte kauft?
: Sie können die Produkte von unserer Firma direkt kaufen. Normalerweise ist das Verfahren Zeichen der Vertrag, Zahlung durch T/T, in Verbindung treten mit der Reederei zur Lieferung die Waren zu Ihrem Land.
Q: Was ist die Garantie?
: Die freie Garantie ist ein Jahr vom Tag der Beauftragung qualifiziert. Wenn es irgendeine Störung für unsere Produkte innerhalb des freien Garantiezeitraums gibt, reparieren wir sie und ändern die Störungsversammlung für freies.

 
 

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