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Transistor bipolares de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN
  • Transistor bipolares de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN

Transistor bipolares de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN

Lugar de origem Chamada
Marca onsemi
Certificação ROHS
Número do modelo BC847ALT1G
Detalhes do produto
Nome do produto:
BC847ALT1G
Circunstância:
Original 100%
Methodpe da instalação:
BJT escolhem 45 V + 150 C 0,1 UM SMD/SMT TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 225 mW BC847AL NPN
Pacote:
SOT-23
Tensão - fonte:
Standard internacional
Máximo Reverso Atual:
Standard internacional
Aplicação:
Transistor (BJT) - único
Descrição do produto

                                                                  Transistor bipolares de BC847ALT1G - BJT 100mA 50V NPN 0Folha de dados de BC847ALT1G
Detalhes do produto

Transistor de uso geral

Silicone de NPN

Características

• Nível da sensibilidade de umidade: 1
• Modelo do corpo humano do − da avaliação do ESD: >4000 V
Modelo de máquina do − da avaliação do ESD: >400 V
• Estes dispositivos são Pb−Free, halogênio Free/BFR livre e são RoHSCompliant

Especificações

                                 
Atributo Valor de atributo
Fabricante No semicondutor
Categoria de produto Transistor (BJT) - único
Série BC847AL
EmpacotamentoEmpacotamento alternativo
Unidade-peso0,050717 onças
Montagem-estilo SMD/SMT
Pacote-caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Montagem-tipo Montagem de superfície
Fornecedor-Dispositivo-pacote SOT-23-3 (TO-236)
Configuração Único
Poder-máximo300mW
Transistor-tipo NPN
Coletores atuais elétricos100mA
Tensão-Coletor-Emissor-Divisão-máximo45V
C.C.-Atual-Ganho-hFE-Minuto-IC-Vce 110 @ 2mA, 5V
Saturação de Vce600mV @ 5mA, 100mA
Atual-Coletor-Interrupção-máximo15nA (ICBO)
Frequência-transição100MHz
Paládio-Poder-dissipação225 mW
Temperatura de funcionamento máximo+ 150 C
Variação da temperatura de funcionamento- 55 C
Coletor-Emissor-Tensão-VCEO-máximo45 V
Transistor-polaridade NPN
Coletor-Emissor-Saturação-tensão0,6 V
Coletor-Base-tensão-VCBO50 V
Emissor-Base-tensão-VEBO6 V
Máximo-C.C.-coletor-atual0,1 A
Ganho-Largura de banda-Produto-fT100 megahertz
Contínuo-Coletor-atual 0,1 A
C.C.-Coletor-Base-Ganho-hfe-minuto 110
 

Descrições

Montagem de superfície bipolar SOT-23-3 do transistor (BJT) NPN 45V 100mA 100MHz 300mW (TO-236)
GP BJT NPN 45V 0.1A 300mW 3-Pin automotivo SOT-23 T/R do transporte
Transistor bipolares - BJT 100mA 50V NPN

Quem nós somos?
é um corporaçõ profissional do mercado eletrônico contratado inteiramente nos campos dos semicondutores e de componentes eletrônicos venda e no serviço para clientes sobre 10 anos, especializa-se em vender o novo e a fábrica não utilizada, original selou componentes eletrônicos de embalagem. especialize-se em IC, diodo, transistor, IGBT, *** do conversor de DC-DC ..... estabeleceu nossa própria concepção do serviço das vendas e já estabeleceu parcerias fortes com muitos fabricantes famosos e nós temos mais de 5.000.000 tipos de componentes eletrônicos para suas escolhas, sempre em seus serviços!
FAQ
Q: São você empresa comercial ou o fabricante?
: Nós somos fabricante original OF Integrated Circuit Chip. Nós podemos fazer o negócio de OEM/ODM.
Q: Quanto tempo é seu prazo de entrega?
: Prazo de entrega da compra do grupo: 30-60 dias; Prazo de entrega geral: 20 dias.
Q: Que é seus termos de pagamento?
: T/T 30% como o depósito, e 70% antes da entrega.
Q: Como comprar seus produtos?
: Você pode comprar os produtos de nossa empresa diretamente. Normalmente o procedimento é sinal o contrato, pagamento por T/T, contacta o transitário à entrega os bens a seu país.
Q: Que é a garantia?
: A garantia livre está a um ano do dia da comissão qualificado. Se há qualquer falha para nossos produtos dentro do período de garantia livre, nós repará-la-emos e mudá-los-emos o conjunto da falha para livre.

 
 

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