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Semi-conducteur discret
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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | NDT02N40T1G |
Fiche technique de NDT02N40T1G
Détails de produit
Ce transistor MOSFET de N-canal a été conçu spécifiquement pour améliorer la performance globale des convertisseurs de DC/DC utilisant les contrôleurs synchrones ou conventionnels de la commutation PWM. Il a été optimisé pour la basse charge de porte, le bas RDS (DESSUS) et la vitesse de changement rapide.
· 21 A, 30 V le RDS (DESSUS) = 35 mW @ VGS = 10 V
Le RDS (DESSUS) = 50 mW @ VGS = 4,5 V
· Basse charge de porte (5nC typiques)
· Commutation rapide
· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)
Applications
· Convertisseur de DC/DC
· Commandes de moteur
Caractéristiques
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | Semi-conducteur de Fairchild |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Série | PowerTrench® |
| Emballage | Bobine |
| Partie-noms d'emprunt | FDD6630A_NL |
| Unité-poids | 0,009184 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-252-3 |
| Technologie | SI |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Configuration | Simple |
| De type transistor | 1 N-canal |
| Palladium-Puissance-dissipation | 28 W |
| Température de fonctionnement maximum | + 175 C |
| Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
| Chute fois | 13 NS |
| Temps de montée | 8 NS |
| Vgs-Porte-Source-tension | 20 V |
| Identification (courant de drain) | 21 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | 30 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 28 mOhms |
| Transistor-polarité | N-canal |
| Typique Tour Retard fois | 17 NS |
| Temps de retard d'ouverture | 5 NS |
| Transconductance | 13 S |
| Canal-mode | Amélioration |
Descriptions
Qui sommes-nous ?
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