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| Lugar de origen | Llamada |
| Nombre de la marca | onsemi |
| Certificación | ROHS |
| Número de modelo | NDT02N40T1G |
Ficha técnica de NDT02N40T1G
Detalles del producto
Este MOSFET del canal N se ha diseñado específicamente para mejorar la eficacia total de los convertidores de DC/DC usando reguladores síncronos o convencionales de la transferencia PWM. Se ha optimizado para la carga baja de la puerta, el RDS bajo (ENCENDIDO) y la velocidad que cambiaba rápida.
· 21 A, 30 V RDS (ENCENDIDO) = 35 mW @ VGS = 10 V
RDS (ENCENDIDO) = 50 mW @ VGS = 4,5 V
· Carga baja de la puerta (5nC típicos)
· Transferencia rápida
· Tecnología del foso del alto rendimiento para extremadamente - el RDS bajo (ENCENDIDO)
Usos
· Convertidor de DC/DC
· Impulsiones del motor
Especificaciones
| Cualidad | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Semiconductor de Fairchild |
| Categoría de producto | FETs - solos |
| Serie | PowerTrench® |
| Empaquetado | Carrete |
| Parte-alias | FDD6630A_NL |
| Unidad-peso | 0,009184 onzas |
| Montaje-estilo | SMD/SMT |
| Paquete-caso | TO-252-3 |
| Tecnología | Si |
| Número-de-canales | 1 canal |
| Configuración | Solo |
| Transistor-tipo | 1 canal N |
| Paladio-Poder-disipación | 28 W |
| Temperatura de funcionamiento máximo | + 175 C |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | - 55 C |
| Caída-tiempo | 13 ns |
| Tiempo de formación | 8 ns |
| Vgs-Puerta-Fuente-voltaje | 20 V |
| Identificación (corriente del dren) | 21 A |
| Vds-Dren-Fuente-Avería-voltaje | 30 V |
| Rds-En-Dren-Fuente-resistencia | 28 mOhms |
| Transistor-polaridad | Canal N |
| Típico-Vuelta-Apagado-Retraso-tiempo | 17 ns |
| Tiempo de retraso de abertura | 5 ns |
| Transconductancia | 13 S |
| Canal-modo | Aumento |
Descripciones
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