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NDT02N40T1G 트랜지스터 MOSFET NFET SOT223 400V 1.7A
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NDT02N40T1G 트랜지스터 MOSFET NFET SOT223 400V 1.7A

원래 장소 전화
브랜드 이름 onsemi
인증 ROHS
모델 번호 NDT02N40T1G
제품 세부 정보
상품 이름:
NDT02N40T1G
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
MOSFET NFET SOT223 400V 1.7A
패키지:
SOT-223
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
트랜지스터 -모스페트스 페트스 - 단일
제품 설명

                                                                  NDT02N40T1G 트랜지스터 MOSFET NFET SOT223 400V 1.7A 0NDT02N40T1G 데이터 시트
제품 상세정보

일반 설명

이 엔-채널 MOSFET은 특히 각각 동시에 일어나는 전통적 스위칭 PWM 제어부들을 이용하여 DC / dc 컨버터의 전반적인 효율성을 향상시키도록 설계되었습니다. 그것은 낮은 게이트 요금, 낮은 RDS (ON)와 고속 스위칭 속도에 대해 최적화되었습니다.

특징

한 · 21, VGS = 10 V에 있는 = 35 mW (의) 30 V RDS
VGS = 4.5 V에 있는 = 50 mW (의) RDS
· 낮은 게이트는 (전형적인 5nC)를 고발합니다
빨리 전환하는 ·
극단적으로 낮은 RDS(ON)를 위한 · 고성능 트렌치 기술

 

애플리케이션
· DC / dc 컨버터
· 모터 드라이브

상술

                         
특성 속성 값
제조사 페어 차일드 반도체
상품 카테고리 FET - 단일
시리즈 PowerTrench®
패키징
부분적 가칭fdd6630a_nl
단일 가중치 0.009184 온스
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 TO-252-3
기술Si
채널 수 1개 채널
구성 단일
트랜지스터 유형 1 엔-채널
Pd 전원 산재28 W
최대 작업 온도+ 175 C
작동 온도 범위- 55 C
낙하 시간13 나노 초
오름시간 8 나노 초
브그스 게이츠 원천 전압20 V
ID (드레인전류)21 A
Vds 배수 원천 고장 전압 30 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항28 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 17 나노 초
턴 온 지연 시간5 나노 초
상호컨덕턴스13 S
채널 모드향상

기술

트랜스 MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2+Tab) DPAK 수입 담보 화물 보관증
MOSFET 30V N-치 파워트렌치

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