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Transistor MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A de transistors d'IRFI4019H-117P pour l'audio de Digital
  • Transistor MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A de transistors d'IRFI4019H-117P pour l'audio de Digital

Transistor MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A de transistors d'IRFI4019H-117P pour l'audio de Digital

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Infineon
Certification ROHS
Numéro de modèle IRFI4019H-117P
Détails du produit
Nom de produit:
IRFI4019H-117P
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
N-canal du transistor MOSFET 8.7A 2 (double) par le trou -55°C | TO-220-5 plein paquet 150°C (TJ) 18
Paquet:
Plein paquet TO-220-5
Tension - approvisionnement:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application:
Transistors - FETs de transistors MOSFET - rangées
Description de produit

                                                                  Transistor MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A de transistors d'IRFI4019H-117P pour l'audio de Digital 0Fiche technique d'IRFI4019H-117P
Détails de produit

Description

Ce Moitié-pont de transistor MOSFET d'audio de Digital est spécifiquement conçu pour des applications d'amplificateur audio de la classe D. Il
se compose de deux commutateurs de transistor MOSFET de puissance reliés dans la configuration de moitié-pont. Le dernier processus est employé
pour réaliser la basse sur-résistance par secteur de silicium. En outre, charge de porte, récupération inverse de corps-diode, et
la résistance interne de porte sont optimisées pour améliorer des facteurs de représentation d'amplificateur audio de la classe principale D tels
comme efficacité, THD et IEM. Ceux-ci combinent pour faire à ce Moitié-pont un très efficace, robuste et fiable
dispositif pour des applications d'amplificateur audio de la classe D.

Caractéristiques

Paquet intégré de Moitié-pont
Réduit le compte de pièce par moitié
Facilite une meilleure disposition de carte PCB
Les paramètres principaux ont optimisé pour des applications d'amplificateur d'audio de classe-d
Le bas RDS (DESSUS) pour l'efficacité améliorée
Bas Qg et Qsw pour un meilleur THD et une efficacité améliorée
Bas Qrr pour un meilleur THD et un IEM inférieur
La livraison de boîte jusqu'à 200W par Manche dans la charge 8Ω dans l'amplificateur de configuration de Moitié-pont
Paquet sans plomb

Caractéristiques

                                         
Attribut Valeur d'attribut
Fabricant Infineon
Catégorie de produit FETs - rangées
Série -
EmballageTube
Unité-poids0,211644 onces
De style du support Par le trou
Paquet-cas Plein paquet TO-220-5
TechnologieSI
L'Actionner-température-55°C | 150°C (TJ)
De type support Par le trou
Nombre-de-canaux La Manche 2
Fournisseur-Dispositif-paquet TO-220-5 Plein-PAK
Configuration Moitié-pont
De type FETN-canal 2 (double)
Puissance-maximum18W
De type transistor N-canal 2
VDSS – tension de Drain-source150V
Capacité d'entrée810pF @ 25V
FET-caractéristiqueNorme
Current-Continuous-Drain-Id-25°C 8.7A
RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs 95 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs-Th-Maximum-identification4.9V @ 50μA
Porte-charge-Qg-Vgs 20nC @ 10V
Palladium-Puissance-dissipation18 W
Gamme de température de fonctionnement- 40 C
Chute fois3,1 NS
Temps de montée6,6 NS
Vgs-Porte-Source-tension20 V
Identification (courant de drain)8,7 A
Vds-Drain-Source-Panne-tension150 V
RDS-Sur-Drain-Source-résistance80 mOhms
Transistor-polarité N-canal
Typique Tour Retard fois 13 NS
Temps de retard d'ouverture7 NS
Qg-Porte-charge13 OR
Canal-modeAmélioration

Descriptions

N-canal de la rangée 2 de transistor MOSFET (double) 150V 8.7A 18W par le trou TO-220-5 Plein-PAK
Tube du transistor MOSFET N-CH SI 150V 8.7A 5-Pin (5+Tab) TO-220FP de transport
Transistor MOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A pour l'audio de Digital

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: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.

 
 

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