IRFI4019H-117Pのデータ用紙
プロダクト細部
このデジタル音声MosFET半橋はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。それ
半橋構成で接続される2つの力MosFETスイッチから成っている。最も最近のプロセスは使用される
ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成するため。なお、ゲート充満、ボディ ダイオードの逆の回復、
内部ゲートの抵抗はキー・クラスDのオーディオ・アンプの作業率を改善するためにそのような物最大限に活用される
効率、THDおよびEMIとして。これらはこの半橋に非常に能率的の、強いおよび信頼できる作るために結合する
クラスDのオーディオ・アンプの塗布のための装置。
統合された半橋パッケージ
半分によって部品の計算を減らす
よりよいPCBのレイアウトを促進する
主変数はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のために最大限に活用した
改善された効率のための低いRDS ()
よりよいTHDおよび改善された効率のための低いQgそしてQsw
よりよいTHDおよびより低いEMIのための低いQrr
半橋構成アンプの8Ω負荷へのチャネルごとの200Wまでの缶配達
無鉛パッケージ
指定
属性 | 属性値 |
---|---|
製造業者 | Infineon |
製品カテゴリ | FETs -配列 |
シリーズ | - |
包装 | 管 |
単位重量 | 0.211644 oz |
土台式 | 穴を通して |
パッケージ場合 | TO-220-5完全なパック |
技術 | Si |
作動温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
土台タイプ | 穴を通して |
数のチャネル | 2チャネル |
製造者装置パッケージ | TO-220-5全朴 |
構成 | 半橋 |
FETタイプ | 2 N-Channel (二重) |
パワー最高 | 18W |
トランジスター タイプ | 2 N-Channel |
VDSS –下水管源の電圧 | 150V |
入れられたキャパシタンス | 810pF @ 25V |
FET特徴 | 標準 |
現在連続的下水管ID25°C | 8.7A |
Rds最高IDVgs | 95 mOhm @ 5.2A、10V |
Vgs Th最高ID | 4.9V @ 50μA |
ゲート充満Qg Vgs | 20nC @ 10V |
Pd力消滅 | 18 W |
実用温度範囲 | - 40 C |
落下時間 | 3.1 ns |
立上り時間 | 6.6 ns |
Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
ID (下水管の流れ) | 8.7 A |
Vds下水管源故障電圧 | 150ボルト |
Rds下水管源抵抗 | 80のmOhms |
トランジスター極性 | N-Channel |
典型的回転遅れ時間 | 13 ns |
Turn-On遅れ時間 | 7 ns |
Qgゲート充満 | 13 NC |
チャネル モード | 強化 |
記述
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