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デジタル音声のためのIRFI4019H-117PのトランジスターMOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A
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デジタル音声のためのIRFI4019H-117PのトランジスターMOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A

起源の場所 呼出し
ブランド名 Infineon
証明 ROHS
モデル番号 IRFI4019H-117P
製品詳細
製品名:
IRFI4019H-117P
条件:
原物100%
設置methodpe:
穴-55°C | 150°C (TJ)を通したMOSFET 8.7A 2のN-Channel (二重) TO-220-5完全なパック18W 150V
パッケージ:
TO-220-5完全なパック
電圧-供給:
国際規格
最高。逆の流れ:
国際規格
適用:
トランジスター- MOSFETsのFETs -配列
製品の説明

                                                                  デジタル音声のためのIRFI4019H-117PのトランジスターMOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A 0IRFI4019H-117Pのデータ用紙
プロダクト細部

記述

このデジタル音声MosFET半橋はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のためにとりわけ設計されている。それ
半橋構成で接続される2つの力MosFETスイッチから成っている。最も最近のプロセスは使用される
ケイ素区域ごとの低いオン抵抗を達成するため。なお、ゲート充満、ボディ ダイオードの逆の回復、
内部ゲートの抵抗はキー・クラスDのオーディオ・アンプの作業率を改善するためにそのような物最大限に活用される
効率、THDおよびEMIとして。これらはこの半橋に非常に能率的の、強いおよび信頼できる作るために結合する
クラスDのオーディオ・アンプの塗布のための装置。

特徴

統合された半橋パッケージ
半分によって部品の計算を減らす
よりよいPCBのレイアウトを促進する
主変数はクラスDのオーディオ・アンプの塗布のために最大限に活用した
改善された効率のための低いRDS ()
よりよいTHDおよび改善された効率のための低いQgそしてQsw
よりよいTHDおよびより低いEMIのための低いQrr
半橋構成アンプの8Ω負荷へのチャネルごとの200Wまでの缶配達
無鉛パッケージ

指定

                                         
属性 属性値
製造業者 Infineon
製品カテゴリ FETs -配列
シリーズ -
包装
単位重量0.211644 oz
土台式 穴を通して
パッケージ場合 TO-220-5完全なパック
技術Si
作動温度-55°C | 150°C (TJ)
土台タイプ 穴を通して
数のチャネル 2チャネル
製造者装置パッケージ TO-220-5全朴
構成 半橋
FETタイプ2 N-Channel (二重)
パワー最高18W
トランジスター タイプ 2 N-Channel
VDSS –下水管源の電圧150V
入れられたキャパシタンス810pF @ 25V
FET特徴標準
現在連続的下水管ID25°C 8.7A
Rds最高IDVgs 95 mOhm @ 5.2A、10V
Vgs Th最高ID4.9V @ 50μA
ゲート充満Qg Vgs 20nC @ 10V
Pd力消滅18 W
実用温度範囲- 40 C
落下時間3.1 ns
立上り時間6.6 ns
Vgsゲート源電圧20ボルト
ID (下水管の流れ)8.7 A
Vds下水管源故障電圧150ボルト
Rds下水管源抵抗80のmOhms
トランジスター極性 N-Channel
典型的回転遅れ時間 13 ns
Turn-On遅れ時間7 ns
Qgゲート充満13 NC
チャネル モード強化

記述

Mosfetの配列2のN-Channel (穴TO-220-5全朴を通した二重) 150V 8.7A 18W
TRANS MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5 Pin (5+Tab) TO-220FPの管
デジタル音声のためのMOSFET 150V 2 x N-CH 8.7A

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