IRFI4019H-117P 데이터 시트
제품 상세정보
이 디지털 오디오 MosFET 하프-브리지는 특히 등급 D 가청 주파 증폭기 애플리케이션을 위해 설계됩니다. 그것
반파 브리지 구조에서 연결된 두개의 파워 모스펫 스위치로 구성됩니다. 최근 절차는 사용됩니다
실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 달성합니다. 게다가, 게이트전하, 본체 다이오드 역-복구 . 그리고
내문 저항은 그와 같은 핵심 등급 D 가청 주파 증폭기 정동작률을 향상시키기 위해 최적화됩니다
효율로서의, THD와 EMI. 이것들은 이 하프-브리지를 대단히 효율적이고 강건하고 믿을 만한 것 만들기 위해 결합합니다
등급 D 가청 주파 증폭기 앱을 위한 기기.
통합된 하프-브리지 패키지
절반만 부품 카운트를 감소시킵니다
더 좋은 PCB 설계를 용이하게 합니다
클래스-D 오디오 증폭기 애플리케이션에 대해 최적화된 핵심적 매개 변수
(계속) 개선된 효율을 위한 낮은 RDS
더 좋은 THD와 개선된 효율을 위한 낮은 큐그와 큐스더블유
더 좋은 THD와 더 낮은 EMI를 위한 낮은 큐르르
8Ω으로의 채널 당 배달 최고 200W는 반파 브리지 구조 증폭기 내에 로딩할 수 있습니까
무연 패키지
상술
특성 | 속성 값 |
---|---|
제조사 | 인피네온 |
상품 카테고리 | FET - 배열 |
시리즈 | - |
패키징 | 튜브 |
단일 가중치 | 0.211644 온스 |
증가하는 방식 | 관통 홀 |
포장 케이스 | TO-220-5 전신찜질 |
기술 | Si |
작동 온도 | -55' C ~ 150' C (TJ) |
설치형 | 관통 홀 |
채널 수 | 2개 채널 |
공급 툴 장치 패키지 | TO-220-5 전체 PAK |
구성 | 하프-브리지 |
전계 효과 트랜지스터형 | (이원적인) 2 엔-채널 |
전원 최대 | 18W |
트랜지스터 유형 | 2 엔-채널 |
VDSS - 드레인-소스 전압 | 150V |
입력 커패시턴스 | 25V에 있는 810pF |
FET 특징 | 표준 |
Current-Continuous-Drain-Id-25' C | 8.7A |
Rds ON 상태 최대 ID -브그스 | 5.2A, 10V에 있는 95 모흠 |
브그스 -스 최대 ID | 50μA에 있는 4.9V |
게이트전하 -큐그 -브그스 | 10V에 있는 20nC |
Pd 전원 산재 | 18 W |
작동 온도 범위 | - 40 C |
낙하 시간 | 3.1 나노 초 |
오름시간 | 6.6 나노 초 |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 8.7 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 150 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 80 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 13 나노 초 |
턴 온 지연 시간 | 7 나노 초 |
큐그 게이트 요금 | 13 nC |
채널 모드 | 향상 |
기술
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