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디지털 오디오를 위한 IRFI4019H-117P 트랜지스터 MOSFET 150V 2 X N-CH 8.7A
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디지털 오디오를 위한 IRFI4019H-117P 트랜지스터 MOSFET 150V 2 X N-CH 8.7A

원래 장소 전화
브랜드 이름 Infineon
인증 ROHS
모델 번호 IRFI4019H-117P
제품 세부 정보
상품 이름:
IRFI4019H-117P
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
홀 -55' C ~ 150' C (TJ) TO-220-5 전신찜질 18W 150V를 통한 (이원적인) MOSFET 8.7A 2 엔-채널
패키지:
TO-220-5 전신찜질
전압 - 공급:
국제 기준
맥스. 역류:
국제 기준
애플리케이션:
트랜지스터 -모스페트스 페트스 - 배열
제품 설명

                                                                  디지털 오디오를 위한 IRFI4019H-117P 트랜지스터 MOSFET 150V 2 X N-CH 8.7A 0IRFI4019H-117P 데이터 시트
제품 상세정보

기술

이 디지털 오디오 MosFET 하프-브리지는 특히 등급 D 가청 주파 증폭기 애플리케이션을 위해 설계됩니다. 그것
반파 브리지 구조에서 연결된 두개의 파워 모스펫 스위치로 구성됩니다. 최근 절차는 사용됩니다
실리콘 면적마다 낮은 온 저항을 달성합니다. 게다가, 게이트전하, 본체 다이오드 역-복구 . 그리고
내문 저항은 그와 같은 핵심 등급 D 가청 주파 증폭기 정동작률을 향상시키기 위해 최적화됩니다
효율로서의, THD와 EMI. 이것들은 이 하프-브리지를 대단히 효율적이고 강건하고 믿을 만한 것 만들기 위해 결합합니다
등급 D 가청 주파 증폭기 앱을 위한 기기.

특징

통합된 하프-브리지 패키지
절반만 부품 카운트를 감소시킵니다
더 좋은 PCB 설계를 용이하게 합니다
클래스-D 오디오 증폭기 애플리케이션에 대해 최적화된 핵심적 매개 변수
(계속) 개선된 효율을 위한 낮은 RDS
더 좋은 THD와 개선된 효율을 위한 낮은 큐그와 큐스더블유
더 좋은 THD와 더 낮은 EMI를 위한 낮은 큐르르
8Ω으로의 채널 당 배달 최고 200W는 반파 브리지 구조 증폭기 내에 로딩할 수 있습니까
무연 패키지

상술

                                         
특성 속성 값
제조사 인피네온
상품 카테고리 FET - 배열
시리즈 -
패키징튜브
단일 가중치0.211644 온스
증가하는 방식 관통 홀
포장 케이스 TO-220-5 전신찜질
기술Si
작동 온도-55' C ~ 150' C (TJ)
설치형 관통 홀
채널 수 2개 채널
공급 툴 장치 패키지 TO-220-5 전체 PAK
구성 하프-브리지
전계 효과 트랜지스터형(이원적인) 2 엔-채널
전원 최대18W
트랜지스터 유형 2 엔-채널
VDSS - 드레인-소스 전압150V
입력 커패시턴스25V에 있는 810pF
FET 특징표준
Current-Continuous-Drain-Id-25' C 8.7A
Rds ON 상태 최대 ID -브그스 5.2A, 10V에 있는 95 모흠
브그스 -스 최대 ID50μA에 있는 4.9V
게이트전하 -큐그 -브그스 10V에 있는 20nC
Pd 전원 산재18 W
작동 온도 범위- 40 C
낙하 시간3.1 나노 초
오름시간6.6 나노 초
브그스 게이츠 원천 전압20 V
ID (드레인전류)8.7 A
Vds 배수 원천 고장 전압150 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항80 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 13 나노 초
턴 온 지연 시간7 나노 초
큐그 게이트 요금13 nC
채널 모드향상

기술

홀 TO-220-5 전체 PAK을 통한 Mosfet 배열 2 엔-채널 (듀얼) 150V 8.7A 18W
트랜스 MOSFET N-CH Si 150V 8.7A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP 튜브
디지털 오디오를 위한 MOSFET 150V 2 X N-CH 8.7A

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