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| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | Infineon |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | IRLML9301TRPBF |
Fiche technique d'IRLML9301TRPBF
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | IOR |
| Catégorie de produit | FETs - simples |
| Série | HEXFET® |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Unité-poids | 0,050717 onces |
| De style du support | SMD/SMT |
| Paquet-cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Technologie | SI |
| L'Actionner-température | -55°C | 150°C (TJ) |
| De type support | Bâti extérieur |
| Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
| Fournisseur-Dispositif-paquet | Micro3 ? /SOT-23 |
| De type FET | P-canal de transistor MOSFET, oxyde de métal |
| Puissance-maximum | 1.3W |
| De type transistor | 1 P-canal |
| VDSS – tension de Drain-source | 30V |
| Capacité d'entrée | 388pF @ 25V |
| FET-caractéristique | Norme |
| Current-Continuous-Drain-Id-25°C | 3.6A (ventres) |
| RDS-Sur-Maximum-identification-Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 10V |
| Vgs-Th-Maximum-identification | 2.4V @ 10μA |
| Porte-charge-Qg-Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Palladium-Puissance-dissipation | 1,3 W |
| Vgs-Porte-Source-tension | 20 V |
| Identification (courant de drain) | - 3,6 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-tension | - 30 V |
| RDS-Sur-Drain-Source-résistance | 103 mOhms |
| Transistor-polarité | P-canal |
| Qg-Porte-charge | 4,8 OR |
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