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| Luogo di origine | Chiamata |
| Marca | Infineon |
| Certificazione | ROHS |
| Numero di modello | IRLML9301TRPBF |
| Attributo | Valore dell'attributo |
|---|---|
| Produttore | IOR |
| categoria di prodotto | FET - Singolo |
| Serie | HEXFET® |
| Confezione | Imballaggio alternativo |
| Unità di peso | 0,050717 once |
| Stile di montaggio | SMD/SMT |
| Pacchetto-Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tecnologia | Sì |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero di canali | 1 canale |
| Fornitore-Dispositivo-Pacchetto | Micro3?/SOT-23 |
| Tipo FET | MOSFET P-Channel, ossido di metallo |
| Potenza-Max | 1,3 W |
| Tipo a transistor | 1 canale P |
| VDSS – Tensione Drain-Source | 30 V |
| Capacità di ingresso | 388 pF a 25 V |
| Funzionalità FET | Standard |
| Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C | 3,6 A (Ta) |
| Rds-On-Max-Id-Vgs | 64 mOhm a 3,6 A, 10 V |
| Vgs-th-Max-Id | 2,4V @ 10μA |
| Porta-Carica-Qg-Vgs | 4,8 nC a 4,5 V |
| Pd-Power-Dissipazione | 1,3 W |
| Vgs-Gate-Source-Tensione | 20 V |
| ID (corrente di scarico) | - 3,6 A |
| Vds-Drain-Source-Rottura-Tensione | - 30 V |
| Rds-On-Drain-Source-Resistenza | 103 mOhm |
| Transistor-Polarità | Canale P |
| Qg-Gate-Carica | 4.8 nC |
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