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| 원래 장소 | 전화 |
| 브랜드 이름 | Infineon |
| 인증 | ROHS |
| 모델 번호 | IRLML9301TRPBF |
| 기인하다 | 속성 값 |
|---|---|
| 제조사 | IOR |
| 제품 카테고리 | FET - 싱글 |
| 시리즈 | HEXFET® |
| 포장 | 대체 포장 |
| 단위 무게 | 0.050717온스 |
| 마운팅 스타일 | SMD/SMT |
| 패키지 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 기술 | 시 |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 마운팅 타입 | 표면 실장 |
| 채널 수 | 1 채널 |
| 공급업체-기기-패키지 | Micro3?/SOT-23 |
| FET 유형 | MOSFET P-채널, 금속 산화물 |
| 파워맥스 | 1.3W |
| 트랜지스터 유형 | P채널 1개 |
| VDSS – 드레인 소스 전압 | 30V |
| 입력 용량 | 388pF @ 25V |
| FET-기능 | 기준 |
| 전류 연속 드레인 Id-25°C | 3.6A(타) |
| Rds-On-Max-Id-Vgs | 64m옴 @ 3.6A, 10V |
| Vgs-th-Max-Id | 2.4V @ 10μA |
| 게이트 전하-Qg-Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Pd 전력 손실 | 1.3W |
| Vgs-게이트-소스-전압 | 20V |
| ID(드레인 전류) | - 3.6A |
| Vds-드레인-소스-파괴-전압 | - 30V |
| Rds-온-드레인 소스 저항 | 103m옴 |
| 트랜지스터 극성 | P채널 |
| Qg-게이트-차지 | 4.8nC |
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