|
| Lieu d'origine | Appel |
| Nom de marque | onsemi |
| Certification | ROHS |
| Numéro de modèle | NDT3055L |
| Attribut | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Fabricant | onsemi |
| catégorie de produit | FET - Simple |
| Série | - |
| Emballage | Emballage alternatif |
| Alias partiels | NDT3055_NL |
| Unité de poids | 0,006632 oz |
| Style de montage | CMS/CMS |
| Paquet-Cas | TO-261-4, TO-261AA |
| Technologie | Si |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Nombre de canaux | 1 canal |
| Fournisseur-Dispositif-Package | SOT-223-4 |
| Configuration | Seul |
| Type FET | MOSFET canal N, oxyde métallique |
| Puissance-Max | 1.1W |
| Type de transistor | 1 canal N |
| VDSS - Tension drain-source | 60V |
| Capacité d'entrée | 250pF @ 30V |
| Fonction FET | Standard |
| Courant-Continu-Drain-Id-25°C | 4A (Ta) |
| Rds-On-Max-Id-Vgs | 100 mOhms à 4 A, 10 V |
| Vgs-th-Max-Id | 4V @ 250μA |
| Gate-Charge-Qg-Vgs | 15 nC à 10 V |
| Pd-Puissance-Dissipation | 3W |
| Température de fonctionnement maximale | + 150 C |
| Plage de température de fonctionnement | - 65 C |
| Temps d'automne | 30ns |
| Temps de montée | 18 ns |
| Vgs-Gate-Source-Tension | 20V |
| ID (courant de drain) | 4 A |
| Vds-Drain-Source-Panne-Tension | 60V |
| Rds-On-Drain-Source-Resistance | 100 mOhms |
| Transistor-Polarité | Canal N |
| Délai de mise hors tension typique | 37 ns |
| Délai de mise en marche | 10ns |
| Transconductance | 6S |
| Mode canal | Renforcement |
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FAQ
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Q : Quelle est la garantie ?
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