| Atributo | Valor do atributo |
|---|---|
| Fabricante | onsemi |
| Categoria de Produto | FETs - Único |
| Series | - |
| Embalagem | Embalagem Alternativa |
| Pseudônimos | NDT3055_NL |
| Unidade de peso | 0,006632 onças |
| Estilo de montagem | SMD/SMT |
| Embalagem-Caixa | TO-261-4, TO-261AA |
| Tecnologia | Si |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Montagem em superfície |
| Número de canais | 1 canal |
| Fornecedor-Dispositivo-Pacote | SOT-223-4 |
| Configuração | Solteiro |
| Tipo FET | MOSFET N-Channel, Óxido Metálico |
| Potência máxima | 1,1 W |
| tipo transistor | 1 Canal N |
| VDSS - Tensão de Fonte de Dreno | 60V |
| Capacitância de entrada | 250pF @ 30V |
| Recurso FET | Padrão |
| Corrente-Contínuo-Dreno-Id-25°C | 4A (Ta) |
| Rds-On-Max-Id-Vgs | 100mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs-th-Max-Id | 4V @ 250μA |
| Gate-Charge-Qg-Vgs | 15nC @ 10V |
| Pd-Power-Dissipação | 3W |
| Temperatura operacional máxima | + 150 C |
| Faixa de temperatura operacional | - 65 C |
| Tempo de outono | 30 ns |
| Tempo de subida | 18 ns |
| Vgs-Gate-Source-Voltage | 20 V |
| ID (corrente de dreno) | 4A |
| Vds-Dreno-Fonte-Quebra-Tensão | 60 V |
| RDS-On-Drain-Source-Resistance | 100mOhms |
| Polaridade do Transistor | Canal N |
| Tempo de Atraso de Desligamento Típico | 37 ns |
| Tempo de Atraso de Ligação | 10 ns |
| Transcondutância | 6S |
| Modo de canal | Aprimoramento |
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Perguntas frequentes
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A:A garantia gratuita é de um ano a partir do dia do comissionamento qualificado. Se houver qualquer falha em nossos produtos dentro do período de garantia gratuita, iremos repará-lo e alterar o conjunto defeituoso gratuitamente.
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