Transistor MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC d'IRFH5210TRPBF
Fiche technique d'IRFH5210TRPBF
Attribut | Valeur d'attribut |
---|---|
Fabricant | IOR |
Catégorie de produit | FETs - simples |
Emballage | Bobine |
De style du support | SMD/SMT |
Paquet-cas | PQFN-6 |
Technologie | SI |
Nombre-de-canaux | La 1 Manche |
Configuration | Simple |
De type transistor | 1 N-canal |
Palladium-Puissance-dissipation | 3,6 W |
Température de fonctionnement maximum | + 150 C |
Gamme de température de fonctionnement | - 55 C |
Chute fois | 6,5 NS |
Temps de montée | 9,7 NS |
Vgs-Porte-Source-tension | 20 V |
Identification (courant de drain) | 10 A |
Vds-Drain-Source-Panne-tension | 100 V |
Vgs-Th-Porte-Source-Seuil-tension | 2 V à 4 V |
RDS-Sur-Drain-Source-résistance | mOhms 14,9 |
Transistor-polarité | N-canal |
Typique Tour Retard fois | 21 NS |
Temps de retard d'ouverture | 7,2 NS |
Qg-Porte-charge | 40 OR |
Transconductance | 66 S |
Canal-mode | Amélioration |
FAQ
Q : Est-vous société commerciale ou le fabricant ?
: Nous sommes fabricant original de puce de circuit intégré. Nous pouvons faire des affaires d'OEM/ODM.
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Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?
: T/T 30% comme dépôt, et 70% avant la livraison.
Q : Comment acheter vos produits ?
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Q : Quelle est la garantie ?
: La garantie libre est à un an du jour de la commission qualifié. S'il y a n'importe quel défaut pour nos produits au cours de la période libre de garantie, nous le réparerons et changerons l'ensemble de défaut pour libre.
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