IRFH5210TRPBF MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
특성 | 속성 값 |
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제조사 | IOR |
상품 카테고리 | FET - 단일 |
패키징 | 릴 |
증가하는 방식 | SMD / SMT |
포장 케이스 | PQFN-6 |
기술 | Si |
채널 수 | 1개 채널 |
구성 | 단일 |
트랜지스터 유형 | 1 엔-채널 |
Pd 전원 산재 | 3.6 W |
최대 작업 온도 | + 150 C |
작동 온도 범위 | - 55 C |
낙하 시간 | 6.5 나노 초 |
오름시간 | 9.7 나노 초 |
브그스 게이츠 원천 전압 | 20 V |
ID (드레인전류) | 10 A |
Vds 배수 원천 고장 전압 | 100 V |
브그스 -스 게이츠 원천 한계 전압 | 4 V에 대한 2 V |
Rds 계속되는 배수 원천 저항 | 14.9 모엠에스 |
트랜지스터 극성 | 엔-채널 |
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 | 21 나노 초 |
턴 온 지연 시간 | 7.2 나노 초 |
큐그 게이트 요금 | 40 nC |
상호컨덕턴스 | 66 S |
채널 모드 | 향상 |
FAQ
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한 : 일괄구매 배달 시간 : 30-60 일 ; 유치 우편 시간 : 20 일.
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