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IRFH5210TRPBF MOSFET HEXFET 100V 1 N-CH 14.9mOhms 39nC
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IRFH5210TRPBF MOSFET HEXFET 100V 1 N-CH 14.9mOhms 39nC

원래 장소 전화
브랜드 이름 INFINEON
인증 ROHS
모델 번호 IRFH5210TRPBF
제품 세부 정보
상품 이름:
IRFH5210TRPBF
상태:
원형 100%
설치 메소드페:
표면 스티커
패키지:
QFN
전압 - 공급:
MOSFET 100V
맥스. 역류:
1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
애플리케이션:
정확도 디지털 온도 센서
하이 라이트: 

IRFH5210TRPBF MOSFET HEXFET

,

HEXFET 트랜지스터 MOSFET

제품 설명

IRFH5210TRPBF MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC

                                                                  IRFH5210TRPBF MOSFET HEXFET 100V 1 N-CH 14.9mOhms 39nC 0IRFH5210TRPBF 데이터 시트

 

상술

                           
특성 속성 값
제조사 IOR
상품 카테고리 FET - 단일
패키징
증가하는 방식 SMD / SMT
포장 케이스 PQFN-6
기술 Si
채널 수 1개 채널
구성 단일
트랜지스터 유형 1 엔-채널
Pd 전원 산재3.6 W
최대 작업 온도+ 150 C
작동 온도 범위- 55 C
낙하 시간6.5 나노 초
오름시간9.7 나노 초
브그스 게이츠 원천 전압20 V
ID (드레인전류)10 A
Vds 배수 원천 고장 전압100 V
브그스 -스 게이츠 원천 한계 전압4 V에 대한 2 V
Rds 계속되는 배수 원천 저항14.9 모엠에스
트랜지스터 극성 엔-채널
전형적 전환 꺼짐 상태 지연 시간 21 나노 초
턴 온 지연 시간7.2 나노 초
큐그 게이트 요금40 nC
상호컨덕턴스 66 S
채널 모드향상
 

 

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