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| 起源の場所 | 呼出し |
| ブランド名 | INFINEON |
| 証明 | ROHS |
| モデル番号 | IRFH5210TRPBF |
IRFH5210TRPBF MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 14.9mOhms 39nC
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造業者 | IOR |
| 製品カテゴリ | 単一FETs - |
| 包装 | 巻き枠 |
| 土台式 | SMD/SMT |
| パッケージ場合 | PQFN-6 |
| 技術 | Si |
| 数のチャネル | 1つのチャネル |
| 構成 | 単一 |
| トランジスター タイプ | 1つのN-Channel |
| Pd力消滅 | 3.6 W |
| 最高使用可能温度 | + 150 C |
| 実用温度範囲 | - 55 C |
| 落下時間 | 6.5 ns |
| 立上り時間 | 9.7 ns |
| Vgsゲート源電圧 | 20ボルト |
| ID （下水管の流れ） | 10 A |
| Vds下水管源故障電圧 | 100ボルト |
| Vgs Thゲート源境界電圧 | 2ボルトから4ボルト |
| Rds下水管源抵抗 | 14.9のmOhms |
| トランジスター極性 | N-Channel |
| 典型的回転遅れ時間 | 21 ns |
| Turn-On遅れ時間 | 7.2 ns |
| Qgゲート充満 | 40 NC |
| 相互コンダクタンス | 66 S |
| チャネル モード | 強化 |
FAQ
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