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Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.
  • Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.

Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores.

Lugar de origen Llamada
Nombre de la marca Micron Technology Inc.
Certificación ROHS
Número de modelo PC28F128M29EWHG
Detalles de producto
Nombre del producto:
PC28F128M29EWHG
Condición:
Original 100%
Methodpe de la instalación:
FLASH - NI -40°C ~ 85°C (TA) 2,7 V ~ 3,6 V
Paquete:
Se trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Voltagem - Suministro:
Estándar internacional
Max. Reverse Current:
Estándar internacional
Aplicación:
Memoria ICs
Alta luz: 

PC28F128M29EWHG

,

Ni las IC de memoria SLC

,

Ni las IC de memoria flash.

Descripción de producto

                                                                  Se trata de una serie de circuitos integrados de memoria de PC28F128M29EWHG con semiconductores. 0Se aplicarán las siguientes medidas:

Especificaciones

Atributo Valor del atributo
Fabricante Tecnología Micron Inc.
Categoría de productos Interfaces de memoria
Serie -
Embalaje Envases
Cuadro de paquete 64 LBGA
Temperatura de funcionamiento -40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz En paralelo
Fuente de suministro de tensión 2.7 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor El número de unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.
Capacidad de memoria 128M (16M x 8, 8M x 16)
Tipo de memoria FLASH - Ni siquiera
Velocidad 60 ns
Formatos de memoria El flash.

Componente compatible funcional

Detalles del producto

Descripción general

El dispositivo de 65nm de Micron es la última generación de memoria inalámbrica StrataFlash® con una arquitectura flexible, de múltiples particiones y doble operación.el modo de lectura asíncrona y el modo de lectura sincrónica con 1Tecnología de celdas de bajo voltaje de.8V de múltiples niveles (MLC).

 

 

Características

• Lectura, programación y borrado de alto rendimiento
Acceso de lectura inicial de 96 ns
¢ 108 MHz con lectura de ráfaga síncrona en estado de espera cero: salida de reloj a datos de 7 ns
- 133 MHz con lectura de ráfaga sincrónica en estado de espera cero: 5.5 ns de salida de reloj a datos
8-, 16-, y continua-palabra sincronizada-explosión lee
Configuración WAIT programable
Impedancia del controlador de salida configurable por el cliente
Programación con búfer: 2.0 μs/Word (tipo), 512-Mbit 65 nm
¢ Borrado de bloques: 0,9 s por bloque (típico)
¢ 20 μs (tipo) de suspensión del programa/borrado
• Arquitectura
Bus de datos de 16 bits de ancho
¢ Tecnología de células de múltiples niveles
Arquitectura de matriz de bloqueo simétrico
Bloques de borrado de 256 Kbyte
Dispositivo de 1 GB: ocho particiones de 128 MB
Dispositivo de 512 Mbit: Ocho particiones de 64 Mbit
Dispositivo de 256 Mbit: Ocho particiones de 32 Mbit
Dispositivo de 128 Mbit: Ocho particiones de 16 Mbit
Programación de lectura y borrado de lectura
Registro de estado de la partición/dispositivo
¢ Característica de verificación en blanco
• Calidad y fiabilidad
Temperatura de expansión: de 30 °C a +85 °C
¢ 100 000 ciclos de borrado mínimos por bloque
Tecnología de proceso de 65 nm
• El poder
Válvula de la base: 1,7 V - 2,0 V
️ Voltado de entrada/salida: 1,7 V - 2,0 V
Corriente de espera: 60 μA (tipo) para 512-Mbit, 65 nm
¢ Modo de apagado profundo: 2 μA (típico)
El modo de ahorro de energía automático
Corriente de lectura de ráfaga sincrónica de 16 palabras: 23 mA (tipo) @ 108 MHz; 24 mA (tipo) @ 133 MHz
• Software
El integrador de datos flash de Micron® (FDI) optimizado
¢ Compatible con el conjunto de comandos básicos (BCS) y el conjunto de comandos extendidos (ECS)
¢ Interfaz flash común (CFI)
• Seguridad
Espacio programable (OTP) de uso único
64 bits únicos de identificación del dispositivo de fábrica
2112 bits OTP programables por el usuario
Protección de escritura absoluta: VPP = GND
️ borrar la transición de energía/bloquear el programa
Bloqueo individual con latencia cero
El bloqueo de bloqueo individual
• Densidad y embalaje
¢ 128Mb, 256Mb, 512Mbit y 1Gbit
Interfaces multiplexadas y no multiplexadas de datos de dirección

DispositivoDescripciones

Flash - NOR IC de memoria de 128 Mb (16M x 8, 8M x 16) paralelo 60ns 64-FBGA (11x13)
NOR FLASH 8MX16 PBF de plástico LB
 
 
 
 

¿Quiénes somos?

es una empresa profesional de comercialización electrónica que se dedica íntegramente a la venta y al servicio de semiconductores y componentes electrónicos para clientes desde hace más de diez años,Especializado en la venta de los nuevos y no utilizados, original de fábrica de empaque sellado componentes electrónicos. especializados en IC, diodo, transistor, IGBT, convertidor DC-DC...*** ha establecido nuestro propio concepto de servicio de ventas y ya ha establecido sólidas asociaciones con muchos fabricantes famosos y tenemos más de 5 millones de,000,000 tipos de componentes electrónicos para sus opciones, siempre a su servicio!

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P: ¿ Cuál es la garantía?
A: ¿Qué quieres decir?La garantía gratuita es de un año desde el día de la puesta en marcha calificada. Si hay algún defecto en nuestros productos dentro del período de garantía gratuita, lo repararemos y cambiaremos el conjunto de fallas de forma gratuita.
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