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Les circuits intégrés de mémoire PC28F128M29EWHG ne sont pas des circuits intégrés parallèles à flash ou SLC 8MX16 LBGA
  • Les circuits intégrés de mémoire PC28F128M29EWHG ne sont pas des circuits intégrés parallèles à flash ou SLC 8MX16 LBGA

Les circuits intégrés de mémoire PC28F128M29EWHG ne sont pas des circuits intégrés parallèles à flash ou SLC 8MX16 LBGA

Lieu d'origine Appel
Nom de marque Micron Technology Inc.
Certification ROHS
Numéro de modèle Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.
Détails du produit
Nom du produit:
Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.
Condition:
Original 100%
Methodpe d'installation:
ÉCLAIR - NI -40°C | 85°C (MERCI) 2,7 V | 3,6 V
Le paquet:
Les appareils de traitement des données doivent être équipés d'un dispositif de traitement des donné
Voltage - alimentation:
Norme internationale
Max. Reverse Current:
Norme internationale
Application du projet:
Mémoire IC
Surligner: 

Le nombre total d'équipements utilisés est fixé par la Commission.

,

Ni les circuits imprimés de mémoire SLC

,

Ni les circuits intégrés de mémoire flash

Description de produit

                                                                  Les circuits intégrés de mémoire PC28F128M29EWHG ne sont pas des circuits intégrés parallèles à flash ou SLC 8MX16 LBGA 0Les données de l'établissement doivent être fournies à l'autorité compétente.

Les spécifications

Attribut Valeur attribuée
Produit de fabrication Micron Technology Inc. est une société
Catégorie de produits Circuits intégrés mémoire
Série -
Emballage Plateau
Boîtier de colis 64 LBGA
Température de fonctionnement -40°C à 85°C (TA)
Interface Parallèlement
Appareil de régulation de la tension 2.7 V ~ 3.6 V
Produit fourni par le fournisseur Pour les appareils à commande numérique:
Capacité de mémoire 128 M (16 M x 8, 8 M x 16)
Type de mémoire Flash - Ni même
Vitesse 60 ans
Format-mémoire Flash

Composant fonctionnel compatible

Détails du produit

Description générale

L'appareil 65nm de Micron est la dernière génération de mémoire sans fil StrataFlash® dotée d'une architecture flexible, à partitions multiples et à double fonctionnement.en mode de lecture asynchrone et en mode de lecture à débit synchrone en utilisant 1.8V basse tension, technologie de cellule à plusieurs niveaux (MLC).

 

 

Caractéristiques

• Lecture, programmation et effacement à haute performance
Accès à la lecture initiale de 96 ns


8-, 16-, et mot continu synchrone-explosion lit
¢ Configuration WAIT programmable
L'impédance du pilote de sortie configurable par le client
¢ Programmaison tamponnée: 2,0 μs/Word (typique), 512 Mbit 65 nm
Élimination des blocs: 0,9 s par bloc (typique)
¢ 20 μs (type) de suspension du programme/effacement
• L'architecture
Le bus de données de largeur 16 bits
¢ Technologie des cellules à plusieurs niveaux
L'architecture d'une matrice à bloc symétrique
- Blocs d'effacement de 256 Kbyte
Dispositif de 1 Gbit: huit partitions 128 Mbit
Dispositif 512 Mbit: huit partitions 64 Mbit
Dispositif 256 Mbit: huit partitions de 32 Mbit
Dispositif 128 Mbit: huit partitions de 16 Mbit

¢ Registre d'état de la partition/état du périphérique
¢ Fonction de vérification en blanc
• Qualité et fiabilité
Température d'expansion: de 30 °C à + 85 °C
¢ 100 000 cycles d'effacement au minimum par bloc
Technologie de procédé à 65 nm
• Le pouvoir
¢ tension du noyau: 1,7 V - 2,0 V
La tension d'entrée/sortie est de 1,7 V à 2,0 V.
¢ courant de veille: 60 μA (type) pour les 512 Mbit, 65 nm
¢ Mode d'arrêt de l'alimentation en profondeur: 2 μA (typique)
Mode d'économie d'énergie automatique
Le courant de lecture par débit synchrone de 16 mots: 23 mA (type) @ 108 MHz; 24 mA (type) @ 133 MHz
• Les logiciels
L'intégrateur de données Flash (FDI) de Micron® optimisé

¢ Interface flash commune (CFI)
• Sécurité

64 bits d'identifiant unique du dispositif d'usine
2112 bits OTP programmables par l'utilisateur
Protection absolue de l'écriture: VPP = GND

¢ Blocage individuel à latence zéro
¢ Blocage individuel
• Densité et emballage
¢ 128 Mb, 256 Mb, 512 Mbit et 1 Gbit
¢ Interfaces multiplexées et non multiplexées données-adresse

DispositifDécrits

Flash - NOR mémoire IC 128Mb (16M x 8, 8M x 16) parallèle 60ns 64-FBGA (11x13)
NOR FLASH 8MX16 PBF en plastique LB
 
 
 
 

Qui nous sommes?

est une société professionnelle de commercialisation électronique entièrement engagée dans les domaines de la vente et du service de semi-conducteurs et de composants électroniques pour des clients depuis plus de 10 ans,spécialisés dans la vente de nouveaux et inutilisésNous sommes spécialisés dans les circuits intégrés, les diodes, les transistors, les convertisseurs...***a mis en place notre propre concept de service de vente et a déjà établi des partenariats solides avec de nombreux fabricants célèbres et nous avons plus de 5,000Des milliers de types de composants électroniques à votre choix, toujours à votre service!

Questions fréquentes
Q: Êtes-vous une société commerciale ou un fabricant?
R: Nous sommes le fabricant original dePuce de circuit intégréOn peut faire des affaires OEM/ODM.
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A: Je suis désolé.Délai de livraison des achats en groupe: 30 à 60 jours; délai de livraison général: 20 jours.
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Q: Comment acheter vos produits?
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Q: Quelle est la garantie?
A: Je suis désolé.La garantie gratuite est d'un an à compter du jour de mise en service qualifiée. S'il y a un défaut pour nos produits dans la période de garantie gratuite, nous le réparerons et changerons l'assemblage de défaut gratuitement.
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