ZXTN617 MATA Datasheet
Detalhes do produto
• BVCEO > 15V
• IC = corrente de coletor 4.5A contínua
• Baixa tensão de saturação (100mV @ 1A máximos)
• RSAT = mΩ 45 para uma baixa Em-resistência equivalente
• o hFE especificou até 12A para o ganho atual alto sustenta
• Pacote alto do perfil baixo 0.6mm para aplicações finas
• RθJA eficiente, 60% mais baixo do que SOT23
• 4mm2 pegada, 50% menor do que SOT23
• Sem chumbo, RoHS complacente (nota 1)
• Halogênio e antimônio livres. Dispositivo “verde” (nota 2)
• Qualificado aos padrões AEC-Q101 para a confiança alta
• Condução da porta do MOSFET
• Conversores de DC-DC
• Circuitos de carregamento
• Controlo do motor
• Interruptor de alimentação
Especificações
Atributo | Valor de atributo |
---|---|
Fabricante | Diodos incorporados |
Categoria de produto | Transistor (BJT) - único |
Série | ZXTN617 |
Empacotamento | Empacotamento alternativo |
Montagem-estilo | SMD/SMT |
Pacote-caso | 3-UDFN |
Montagem-tipo | Montagem de superfície |
Fornecedor-Dispositivo-pacote | DFN2020B-3 |
Configuração | Único |
Poder-máximo | 3W |
Transistor-tipo | NPN |
Coletores atuais elétricos | 4.5A |
Tensão-Coletor-Emissor-Divisão-máximo | 15V |
C.C.-Atual-Ganho-hFE-Minuto-IC-Vce | 200 @ 3A, 2V |
Saturação de Vce | 280mV @ 50mA, 4.5A |
Atual-Coletor-Interrupção-máximo | 25nA |
Frequência-transição | 120MHz |
Paládio-Poder-dissipação | 1,5 W |
Temperatura de funcionamento máximo | + 150 C |
Variação da temperatura de funcionamento | - 55 C |
Coletor-Emissor-Tensão-VCEO-máximo | 15 V |
Transistor-polaridade | NPN |
Coletor-Emissor-Saturação-tensão | 200 milivolt |
Coletor-Base-tensão-VCBO | 40 V |
Emissor-Base-tensão-VEBO | 7 V |
Máximo-C.C.-coletor-atual | 5 A |
Ganho-Largura de banda-Produto-fT | 120 megahertz |
Contínuo-Coletor-atual | 4,5 A |
Descrições
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