ZXTN617 MATA Datasheet
Produkt-Details
• BVCEO > 15V
• IC = ununterbrochener 4.5A Kollektorstrom
• Niedrige Sättigungs-Spannung (100mV maximale @ 1A)
• RSAT = mΩ 45 für einen niedrigen gleichwertigen Auf-Widerstand
• hFE spezifizierte bis zu 12A für hohe Stromverstärkung halten
• Hohes Paket der Zurückhaltung 0.6mm für dünne Anwendungen
• RθJA leistungsfähig, 60% niedriger als SOT23
• 4mm2 Abdruck, 50% kleiner als SOT23
• Bleifrei, RoHS konform (Anmerkung 1)
• Halogen und Antimon frei. „Grünes“ Gerät (Anmerkung 2)
• Qualifiziert zu den Standards AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit
• Mosfet-Tor-Fahren
• DC-DC Konverter
• Akkuladeschaltungen
• Motorsteuerung
• Netzschalter
Spezifikationen
Attribut | Attribut-Wert |
---|---|
Hersteller | Dioden enthalten |
Produkt-Kategorie | Transistoren (BJT) - einzeln |
Reihe | ZXTN617 |
Verpacken | Abwechselndes Verpacken |
Montage-ähnlich | SMD/SMT |
Paket-Fall | 3-UDFN |
Montage-artig | Oberflächenberg |
Lieferant-Gerät-Paket | DFN2020B-3 |
Konfiguration | Einzeln |
Macht-maximal | 3W |
Transistor-artig | NPN |
Elektrische Stromabnehmer | 4.5A |
Spannung-Kollektor-Emitter-Zusammenbruch-maximal | 15V |
DC-Gegenwärtig-Gewinn-hFE-Minute-IC-Vce | 200 @ 3A, 2V |
Vce-Sättigung | 280mV @ 50mA, 4.5A |
Gegenwärtig-Kollektor-Abkürzung-maximal | 25nA |
Frequenz-Übergang | 120MHz |
PD-Energie-Ableitung | 1,5 W |
Normalbetriebshöchsttemperatur | + 150 C |
Betriebstemperaturbereich | - 55 C |
Kollektor-Emitter-Spannung-VCEO-maximal | 15 V |
Transistor-Polarität | NPN |
Kollektor-Emitter-Sättigung-Spannung | 200 Millivolt |
Kollektor-Basis-Spannung-VCBO | 40 V |
Emitter-Basis-Spannung-VEBO | 7 V |
Maximum-DC-Kollektor-gegenwärtig | 5 A |
Gewinn-Bandbreite-Produkt-fT | 120 MHZ |
Ununterbrochen-Kollektor-gegenwärtig | 4,5 A |
Beschreibungen
Wer sind wir?
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FAQ
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